DMNH4006SPSQ-13 Альтернативные части: STB80N4F6AG ,IPD90N04S405ATMA1

DMNH4006SPSQ-13Diodes Incorporated

В наличии: 803

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
185.173956 ₽
185.16 ₽
10
174.692445 ₽
1,746.98 ₽
100
164.804148 ₽
16,480.36 ₽
500
155.475604 ₽
77,737.77 ₽
1000
146.675137 ₽
146,675.14 ₽

Цена за единицу: 185.173956 ₽

Итоговая цена: 185.16 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMNH4006SPSQ-13	иSTB80N4F6AG	иIPD90N04S405ATMA1
Производитель:	Diodes Incorporated	STMicroelectronics	Infineon Technologies
Описание:	MOSFET NCH 40V 110A POWERDI	MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK	MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3-313
Срок поставки от производителя	17 Weeks	20 Weeks	16 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-PowerTDFN	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов	8	-	3
Материал элемента транзистора	SILICON	-	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	110A Tc	80A Tc	86A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	10V	10V	10V
Количество элементов	1	-	1
Максимальная мощность рассеяния	1.6W Ta	70W Tc	65W Tc
Рабочая температура	-55°C~175°C TJ	-55°C~175°C TJ	-55°C~175°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	Automotive, AEC-Q101	Automotive, AEC-Q101, STripFET™	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Опубликовано	2016	-	2010
Код JESD-609	e3	-	e3
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	5	-	2
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	-	Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	-	-
Положение терминала	DUAL	-	SINGLE
Форма вывода	FLAT	-	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH	not_compliant	-	not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Код JESD-30	R-PDSO-F5	-	R-PSSO-G2
Конфигурация	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	-	ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка	DRAIN	-	DRAIN
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	-	-
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	7m Ω @ 50A, 10V	6m Ω @ 40A, 10V	5.2m Ω @ 86A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	4V @ 250μA	4V @ 250μA	4V @ 30μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	2280pF @ 25V	2150pF @ 25V	2960pF @ 25V
Напряжение стока-исток (Vdss)	40V	40V	-
Угол настройки (макс.)	20V	±20V	±20V
Непрерывный ток стока (ID)	110A	80A	86A
Сопротивление открытого канала-макс	0.007Ohm	-	0.0052Ohm
Минимальная напряжённость разрушения	40V	-	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Состояние жизненного цикла	-	ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)	-
Основной номер части	-	STB80N	-
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	-	36nC @ 10V	37nC @ 10V
Время отключения	-	-	7 ns
Время задержки включения	-	-	9 ns
Без галогенов	-	-	Halogen Free
Время подъема	-	-	11ns
Время падения (тип)	-	-	10 ns
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	-	-	20V
Максимальное напряжение питания с двумя источниками	-	-	40V
Рейтинг энергии лавины (Eas)	-	-	77 mJ
Без свинца	-	-	Contains Lead

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IPD90N04S405ATMA1	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3-313	Для сравнения
DMTH4007LPS-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerTDFN	MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506	Для сравнения
DMTH4007LPSQ-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerTDFN	MOSFET 40V 175c N-Ch FET 6.5mOhm 10Vgs 100A	Для сравнения
STB80N4F6AG	STMicroelectronics	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK	Для сравнения