DMNH4006SPSQ-13 Альтернативные части: DMTH4007LPS-13

DMNH4006SPSQ-13Diodes Incorporated

В наличии: 803

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
185.173956 ₽
185.16 ₽
10
174.692445 ₽
1,746.98 ₽
100
164.804148 ₽
16,480.36 ₽
500
155.475604 ₽
77,737.77 ₽
1000
146.675137 ₽
146,675.14 ₽

Цена за единицу: 185.173956 ₽

Итоговая цена: 185.16 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMNH4006SPSQ-13	иDMTH4007LPS-13
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	MOSFET NCH 40V 110A POWERDI	MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
Срок поставки от производителя	17 Weeks	22 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-PowerTDFN	8-PowerTDFN
Количество контактов	8	8
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	110A Tc	15.5A Ta 100A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1
Максимальная мощность рассеяния	1.6W Ta	2.7W Ta 150W Tc
Рабочая температура	-55°C~175°C TJ	-55°C~175°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	Automotive, AEC-Q101	-
Опубликовано	2016	2015
Код JESD-609	e3	e3
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	5	5
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	FLAT	FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)	NOT SPECIFIED	260
Код соответствия REACH	not_compliant	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	NOT SPECIFIED	30
Код JESD-30	R-PDSO-F5	R-PDSO-F5
Конфигурация	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка	DRAIN	DRAIN
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	7m Ω @ 50A, 10V	6.5m Ω @ 20A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	4V @ 250μA	3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	2280pF @ 25V	1895pF @ 30V
Напряжение стока-исток (Vdss)	40V	40V
Угол настройки (макс.)	20V	±20V
Непрерывный ток стока (ID)	110A	100A
Сопротивление открытого канала-макс	0.007Ohm	-
Минимальная напряжённость разрушения	40V	40V
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Нормативная Марка	-	AEC-Q101
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	-	29.1nC @ 10V
Максимальный сливовой ток (ID)	-	15.5A
Рейтинг энергии лавины (Eas)	-	20 mJ

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IPD90N04S405ATMA1	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3-313	Для сравнения
DMTH4007LPS-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerTDFN	MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506	Для сравнения
DMTH4007LPSQ-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerTDFN	MOSFET 40V 175c N-Ch FET 6.5mOhm 10Vgs 100A	Для сравнения
STB80N4F6AG	STMicroelectronics	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK	Для сравнения