Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMN65D8LDW-7 Альтернативные части: DMN63D8LDW-7
DMN65D8LDW-7Diodes Incorporated
В наличии: 220
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
9.552473 ₽
9.62 ₽
10
9.011772 ₽
90.11 ₽
100
8.501662 ₽
850.14 ₽
500
8.020440 ₽
4,010.16 ₽
1000
7.566456 ₽
7,566.48 ₽
Цена за единицу: 9.552473 ₽
Итоговая цена: 9.62 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363 | MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 |
Срок поставки от производителя | 15 Weeks | 15 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | Tin |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Количество контактов | 6 | 6 |
Вес | 6.010099mg | 6.010099mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Количество элементов | 2 | 2 |
Время отключения | 12 ns | 12 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2013 | 2012 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 6 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 6Ohm | - |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
Максимальная потеря мощности | 300mW | 300mW |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 |
Основной номер части | DMN65D8LDW | DMN63D8L |
Число контактов | 6 | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 300mW | 300mW |
Время задержки включения | 3.3 ns | 3.3 ns |
Тип ТРВ | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 6 Ω @ 115mA, 10V | 2.8 Ω @ 250mA, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2V @ 250μA | 1.5V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 22pF @ 25V | 22pF @ 25V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 0.87nC @ 10V | 870nC @ 10V |
Время подъема | 3.2ns | 3.2ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 60V | 30V |
Время падения (тип) | 6.3 ns | 6.3 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 180mA | 220mA |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 0.15A | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | 60V | 30V |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Максимальная температура перехода (Тj) | 150°C | 150°C |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
Высота | 1.1mm | 1.1mm |
Длина | 2.2mm | 2.2mm |
Ширина | 1.35mm | 1.35mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Нормативная Марка | - | AEC-Q101 |
Конфигурация элемента | - | Dual |
Пороговое напряжение | - | 1.5V |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 4.5Ohm |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2N7002DW-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT-363 | Для сравнения |
 | BSD314SPEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R | Для сравнения |
| DMN63D8LDW-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 | Для сравнения |
| BSS84DW-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6 | Для сравнения |