DMN65D8LDW-7 Альтернативные части: 2N7002DW-7-F

DMN65D8LDW-7Diodes Incorporated

В наличии: 220

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
9.552473 ₽
9.62 ₽
10
9.011772 ₽
90.11 ₽
100
8.501662 ₽
850.14 ₽
500
8.020440 ₽
4,010.16 ₽
1000
7.566456 ₽
7,566.48 ₽

Цена за единицу: 9.552473 ₽

Итоговая цена: 9.62 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMN65D8LDW-7	и2N7002DW-7-F
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363	MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT-363
Срок поставки от производителя	15 Weeks	20 Weeks
Покрытие контактов	Tin	Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов	6	6
Вес	6.010099mg	6.010099mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Количество элементов	2	2
Время отключения	12 ns	11 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2013	2007
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	6	6
Код ECCN	EAR99	EAR99
Сопротивление	6Ohm	7.5Ohm
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности	300mW	200mW
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40
Основной номер части	DMN65D8LDW	-
Число контактов	6	6
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	300mW	200mW
Время задержки включения	3.3 ns	7 ns
Тип ТРВ	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	6 Ω @ 115mA, 10V	7.5 Ω @ 50mA, 5V
Втс(th) (Макс) @ Id	2V @ 250μA	2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	22pF @ 25V	50pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	0.87nC @ 10V	-
Время подъема	3.2ns	-
Напряжение стока-исток (Vdss)	60V	-
Время падения (тип)	6.3 ns	-
Непрерывный ток стока (ID)	180mA	115mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Максимальный сливовой ток (ID)	0.15A	0.115A
Напряжение пробоя стока к истоку	60V	70V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная температура перехода (Тj)	150°C	-
Характеристика ТРП	Logic Level Gate	Standard
Высота	1.1mm	1mm
Длина	2.2mm	2.2mm
Ширина	1.35mm	1.35mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	-	230mA
Завершение	-	SMD/SMT
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	60V
Моментальный ток	-	115mA
Каналов количество	-	2
Конфигурация элемента	-	Dual
Мощность - Макс	-	310mW
Пороговое напряжение	-	2V
Двухпитание напряжения	-	60V
Номинальное Vgs	-	2 V
Обратная ёмкость-Макс (Crss)	-	5 pF

Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
2N7002DW-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT-363	Для сравнения
BSD314SPEH6327XTSA1	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R	Для сравнения
DMN63D8LDW-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363	Для сравнения
BSS84DW-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6	Для сравнения