DMN601DWK-7 Альтернативные части: DMN5L06DWK-7 ,NMSD200B01-7

DMN601DWK-7Diodes Incorporated

В наличии: 34

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
33.580769 ₽
33.52 ₽
10
31.680000 ₽
316.76 ₽
100
29.886786 ₽
2,988.74 ₽
500
28.195082 ₽
14,097.53 ₽
1000
26.599135 ₽
26,599.18 ₽

Цена за единицу: 33.580769 ₽

Итоговая цена: 33.52 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMN601DWK-7	иDMN5L06DWK-7	иNMSD200B01-7
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	MOSFET Dual N-Channel	MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-363	MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT363
Срок поставки от производителя	16 Weeks	16 Weeks	-
Покрытие контактов	Tin	-	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов	6	6	6
Вес	6.010099mg	6.010099mg	6.010099mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Количество элементов	2	2	1
Рабочая температура	-65°C~150°C TJ	-65°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2007	2011	2008
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	6	6	6
Завершение	SMD/SMT	-	-
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Сопротивление	2Ohm	2Ohm	-
Дополнительная Характеристика	LOW CAPACITANCE	HIGH RELIABILITY	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	60V	50V	60V
Максимальная потеря мощности	200mW	250mW	-
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Моментальный ток	305mA	305mA	200mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	40
Основной номер части	DMN601DWK	DMN5L06DWK	-
Число контактов	6	6	6
Нормативная Марка	AEC-Q101	-	-
Каналов количество	2	-	1
Конфигурация элемента	Dual	Dual	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	DEPLETION MODE
Распад мощности	200mW	250mW	200mW
Тип ТРВ	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	2 Ω @ 500mA, 10V	2 Ω @ 50mA, 5V	3 Ω @ 50mA, 5V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 1mA	1V @ 250μA	3V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	50pF @ 25V	50pF @ 25V	50pF @ 25V
Непрерывный ток стока (ID)	305mA	305mA	200mA
Пороговое напряжение	1.6V	1V	-
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V	20V
Максимальный сливовой ток (ID)	0.305A	0.305A	0.2A
Напряжение пробоя стока к истоку	60V	50V	60V
Двухпитание напряжения	60V	-	-
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-
Характеристика ТРП	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Schottky Diode (Isolated)
Номинальное Vgs	1.6 V	-	-
Обратная ёмкость-Макс (Crss)	5 pF	5 pF	5 pF
Высота	1mm	1.1mm	1mm
Длина	2.2mm	2.2mm	2.2mm
Ширина	1.35mm	1.35mm	1.35mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	-
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Время отключения	-	14.4 ns	40 ns
Конечная обработка контакта	-	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Время задержки включения	-	2.1 ns	20 ns
Максимальная температура перехода (Тj)	-	150°C	-
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	-	-	200mA Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	-	-	5V 10V
Максимальная мощность рассеяния	-	-	200mW Ta
Положение терминала	-	-	DUAL
Конфигурация	-	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Угол настройки (макс.)	-	-	±20V
Сопротивление открытого канала-макс	-	-	2Ohm

Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
NMSD200B01-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT363	Для сравнения
BSS138DW-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DIODES INC. - BSS138DW-7-F - Dual MOSFET, N Channel, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-363, Surface Mount	Для сравнения
DMN5L06DWK-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-363	Для сравнения