DMN601DWK-7 Альтернативные части: DMN5L06DWK-7

DMN601DWK-7Diodes Incorporated

В наличии: 34

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
33.580769 ₽
33.52 ₽
10
31.680000 ₽
316.76 ₽
100
29.886786 ₽
2,988.74 ₽
500
28.195082 ₽
14,097.53 ₽
1000
26.599135 ₽
26,599.18 ₽

Цена за единицу: 33.580769 ₽

Итоговая цена: 33.52 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMN601DWK-7	иDMN5L06DWK-7
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	MOSFET Dual N-Channel	MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-363
Срок поставки от производителя	16 Weeks	16 Weeks
Покрытие контактов	Tin	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов	6	6
Вес	6.010099mg	6.010099mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Количество элементов	2	2
Рабочая температура	-65°C~150°C TJ	-65°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2007	2011
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	6	6
Завершение	SMD/SMT	-
Код ECCN	EAR99	EAR99
Сопротивление	2Ohm	2Ohm
Дополнительная Характеристика	LOW CAPACITANCE	HIGH RELIABILITY
Ток постоянного напряжения - номинальный	60V	50V
Максимальная потеря мощности	200mW	250mW
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Моментальный ток	305mA	305mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40
Основной номер части	DMN601DWK	DMN5L06DWK
Число контактов	6	6
Нормативная Марка	AEC-Q101	-
Каналов количество	2	-
Конфигурация элемента	Dual	Dual
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	200mW	250mW
Тип ТРВ	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	2 Ω @ 500mA, 10V	2 Ω @ 50mA, 5V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 1mA	1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	50pF @ 25V	50pF @ 25V
Непрерывный ток стока (ID)	305mA	305mA
Пороговое напряжение	1.6V	1V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Максимальный сливовой ток (ID)	0.305A	0.305A
Напряжение пробоя стока к истоку	60V	50V
Двухпитание напряжения	60V	-
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Номинальное Vgs	1.6 V	-
Обратная ёмкость-Макс (Crss)	5 pF	5 pF
Высота	1mm	1.1mm
Длина	2.2mm	2.2mm
Ширина	1.35mm	1.35mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Время отключения	-	14.4 ns
Конечная обработка контакта	-	Matte Tin (Sn)
Время задержки включения	-	2.1 ns
Максимальная температура перехода (Тj)	-	150°C

Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
NMSD200B01-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT363	Для сравнения
BSS138DW-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DIODES INC. - BSS138DW-7-F - Dual MOSFET, N Channel, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-363, Surface Mount	Для сравнения
DMN5L06DWK-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-363	Для сравнения