DMN601DWK-7Diodes Incorporated
В наличии: 34
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
33.580769 ₽
33.52 ₽
10
31.680000 ₽
316.76 ₽
100
29.886786 ₽
2,988.74 ₽
500
28.195082 ₽
14,097.53 ₽
1000
26.599135 ₽
26,599.18 ₽
Цена за единицу: 33.580769 ₽
Итоговая цена: 33.52 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET Dual N-Channel | DIODES INC. - BSS138DW-7-F - Dual MOSFET, N Channel, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-363, Surface Mount | MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-363 |
Срок поставки от производителя | 16 Weeks | 15 Weeks | 16 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | Tin | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Количество контактов | 6 | 6 | 6 |
Вес | 6.010099mg | 6.010099mg | 6.010099mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | - | SILICON |
Количество элементов | 2 | 2 | 2 |
Рабочая температура | -65°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -65°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2007 | 2012 | 2011 |
Код JESD-609 | e3 | - | e3 |
Безоловая кодировка | yes | - | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 6 | 6 |
Завершение | SMD/SMT | - | - |
Код ECCN | EAR99 | - | EAR99 |
Сопротивление | 2Ohm | 3.5Ohm | 2Ohm |
Дополнительная Характеристика | LOW CAPACITANCE | - | HIGH RELIABILITY |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 60V | 50V | 50V |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 200mW | 250mW |
Форма вывода | GULL WING | - | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - | 260 |
Моментальный ток | 305mA | 200mA | 305mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | - | 40 |
Основной номер части | DMN601DWK | - | DMN5L06DWK |
Число контактов | 6 | - | 6 |
Нормативная Марка | AEC-Q101 | - | - |
Каналов количество | 2 | 2 | - |
Конфигурация элемента | Dual | Dual | Dual |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 200mW | 200mW | 250mW |
Тип ТРВ | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
Применение транзистора | SWITCHING | - | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 2 Ω @ 500mA, 10V | 3.5Ohm @ 220mA, 10V | 2 Ω @ 50mA, 5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 1mA | 1.5V @ 250μA | 1V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 50pF @ 25V | 50pF @ 10V | 50pF @ 25V |
Непрерывный ток стока (ID) | 305mA | 200mA | 305mA |
Пороговое напряжение | 1.6V | 1.2V | 1V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 0.305A | - | 0.305A |
Напряжение пробоя стока к истоку | 60V | 75V | 50V |
Двухпитание напряжения | 60V | - | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
Номинальное Vgs | 1.6 V | 1.2 V | - |
Обратная ёмкость-Макс (Crss) | 5 pF | - | 5 pF |
Высота | 1mm | 1.1mm | 1.1mm |
Длина | 2.2mm | 2.2mm | 2.2mm |
Ширина | 1.35mm | 1.35mm | 1.35mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | - | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Поставщик упаковки устройства | - | SOT-363 | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | - | 200mA | - |
Время отключения | - | 20 ns | 14.4 ns |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C | - |
Минимальная температура работы | - | -55°C | - |
Время задержки включения | - | 20 ns | 2.1 ns |
Мощность - Макс | - | 200mW | - |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | 50V | - |
Входной ёмкости | - | 50pF | - |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | 150°C | 150°C |
Сопротивление стока к истоку | - | 3.5Ohm | - |
Rds на макс. | - | 3.5 Ω | - |
Минимальная разрушающая напряжение | - | 50V | - |
Конечная обработка контакта | - | - | Matte Tin (Sn) |