Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMN4800LSSL-13 Альтернативные части: IRF8313TRPBF ,IRF8313PBF
DMN4800LSSL-13Diodes Incorporated
В наличии: 25
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
22.131456 ₽
22.12 ₽
10
20.878736 ₽
208.79 ₽
100
19.696923 ₽
1,969.64 ₽
500
18.581992 ₽
9,290.93 ₽
1000
17.530192 ₽
17,530.22 ₽
Цена за единицу: 22.131456 ₽
Итоговая цена: 22.12 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO | MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC | MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC |
Срок поставки от производителя | 15 Weeks | - | 6 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | - |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | - |
Вес | 73.992255mg | - | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 8A Ta | - | 9.7A |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | - | - |
Количество элементов | 1 | 2 | 2 |
Максимальная мощность рассеяния | 1.46W Ta | - | - |
Время отключения | 26.33 ns | 8.5 ns | - |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~175°C TJ | -55°C~175°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
Опубликовано | 2012 | 2008 | 2004 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | - | - |
Состояние изделия | Active | Not For New Designs | Discontinued |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | - | - |
Положение терминала | DUAL | - | - |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - | NOT SPECIFIED |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | - | NOT SPECIFIED |
Число контактов | 8 | - | - |
Каналов количество | 1 | - | - |
Конфигурация элемента | Single | Dual | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Время задержки включения | 5.03 ns | 8.3 ns | - |
Тип ТРВ | N-Channel | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 14m Ω @ 8A, 10V | 15.5m Ω @ 9.7A, 10V | 15.5m Ω @ 9.7A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1.6V @ 250μA | 2.35V @ 25μA | 2.35V @ 25μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 798pF @ 10V | 760pF @ 15V | 760pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 8.7nC @ 5V | 9nC @ 4.5V | 90nC @ 4.5V |
Время подъема | 4.5ns | 9.9ns | - |
Угол настройки (макс.) | ±20V | - | - |
Время падения (тип) | 8.55 ns | 4.2 ns | - |
Непрерывный ток стока (ID) | 8A | 9.7A | - |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | - |
Максимальный сливовой ток (ID) | 6.7A | - | 9.7A |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V | - |
Максимальный импульсный ток вывода | 50A | - | 81A |
Высота | 1.5mm | 1.4986mm | - |
Длина | 4.95mm | 4.9784mm | - |
Ширина | 3.95mm | 3.9878mm | - |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | - |
Корпусировка на излучение | No | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | - |
Серия | - | HEXFET® | - |
Сопротивление | - | 15.5MOhm | - |
Максимальная потеря мощности | - | 2W | - |
Основной номер части | - | IRF8313PBF | IRF8313PBF |
Распад мощности | - | 2W | - |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | 30V | 30V |
Пороговое напряжение | - | 1.8V | - |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | 46 mJ | 46 mJ |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Характеристика ТРП | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
Номинальное Vgs | - | 1.8 V | - |
Поверхностный монтаж | - | - | YES |
Код JESD-30 | - | - | R-PDSO-G8 |
Квалификационный Статус | - | - | Not Qualified |
Конфигурация | - | - | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
Мощность - Макс | - | - | 2W |
Код JEDEC-95 | - | - | MS-012AA |
Сопротивление открытого канала-макс | - | - | 0.0155Ohm |
Минимальная напряжённость разрушения | - | - | 30V |
Максимальная потеря мощности (абс.) | - | - | 2W |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF8313TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF8313PBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC | Для сравнения |
 | FDS8878 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC | Для сравнения |
 | DMN4468LSS-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N CH 30V 10A 8SOP | Для сравнения |