DMN4800LSSL-13 Альтернативные части: IRF8313TRPBF

DMN4800LSSL-13Diodes Incorporated

В наличии: 25

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
22.131456 ₽
22.12 ₽
10
20.878736 ₽
208.79 ₽
100
19.696923 ₽
1,969.64 ₽
500
18.581992 ₽
9,290.93 ₽
1000
17.530192 ₽
17,530.22 ₽

Цена за единицу: 22.131456 ₽

Итоговая цена: 22.12 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMN4800LSSL-13	иIRF8313TRPBF
Производитель:	Diodes Incorporated	Infineon Technologies
Описание:	MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO	MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
Срок поставки от производителя	15 Weeks	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Вес	73.992255mg	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	8A Ta	-
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	-
Количество элементов	1	2
Максимальная мощность рассеяния	1.46W Ta	-
Время отключения	26.33 ns	8.5 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~175°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2012	2008
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	-
Состояние изделия	Active	Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	-
Положение терминала	DUAL	-
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	-
Число контактов	8	-
Каналов количество	1	-
Конфигурация элемента	Single	Dual
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Время задержки включения	5.03 ns	8.3 ns
Тип ТРВ	N-Channel	2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	14m Ω @ 8A, 10V	15.5m Ω @ 9.7A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	1.6V @ 250μA	2.35V @ 25μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	798pF @ 10V	760pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	8.7nC @ 5V	9nC @ 4.5V
Время подъема	4.5ns	9.9ns
Угол настройки (макс.)	±20V	-
Время падения (тип)	8.55 ns	4.2 ns
Непрерывный ток стока (ID)	8A	9.7A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Максимальный сливовой ток (ID)	6.7A	-
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V
Максимальный импульсный ток вывода	50A	-
Высота	1.5mm	1.4986mm
Длина	4.95mm	4.9784mm
Ширина	3.95mm	3.9878mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Серия	-	HEXFET®
Сопротивление	-	15.5MOhm
Максимальная потеря мощности	-	2W
Основной номер части	-	IRF8313PBF
Распад мощности	-	2W
Напряжение стока-исток (Vdss)	-	30V
Пороговое напряжение	-	1.8V
Рейтинг энергии лавины (Eas)	-	46 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП	-	Logic Level Gate
Номинальное Vgs	-	1.8 V

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRF8313TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC	Для сравнения
IRF8313PBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC	Для сравнения
FDS8878	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC	Для сравнения
DMN4468LSS-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N CH 30V 10A 8SOP	Для сравнения