DMN4800LSS-13 Альтернативные части: DMP3056LSD-13 ,DMP3035LSS-13

DMN4800LSS-13Diodes Incorporated

  • DMN4800LSS-13Diodes Incorporated
  • DMP3056LSD-13Diodes Incorporated
  • DMP3035LSS-13Diodes Incorporated

В наличии: 10949

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    44.275000 ₽

    44.23 ₽

  • 10

    41.768874 ₽

    417.72 ₽

  • 100

    39.404588 ₽

    3,940.52 ₽

  • 500

    37.174148 ₽

    18,587.09 ₽

  • 1000

    35.069945 ₽

    35,069.92 ₽

Цена за единицу: 44.275000 ₽

Итоговая цена: 44.23 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC
MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC
Срок поставки от производителя
15 Weeks
16 Weeks
7 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов
8
8
8
Вес
73.992255mg
73.992255mg
850.995985mg
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C
9A Ta
-
11A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)
4.5V 10V
-
4.5V 20V
Количество элементов
1
2
1
Максимальная мощность рассеяния
1.46W Ta
-
2W Ta
Время отключения
26.33 ns
26.5 ns
46 ns
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2009
2012
2009
Код JESD-609
e3
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
8
8
8
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
Matte Tin (Sn)
Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика
HIGH RELIABILITY
HIGH RELIABILITY
HIGH RELIABILITY
Положение терминала
DUAL
-
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
40
Число контактов
8
8
8
Каналов количество
1
-
1
Конфигурация элемента
Single
-
-
Режим работы
ENHANCEMENT MODE
ENHANCEMENT MODE
ENHANCEMENT MODE
Распад мощности
1.7W
2.5W
-
Время задержки включения
5.03 ns
6.4 ns
5.1 ns
Тип ТРВ
N-Channel
2 P-Channel (Dual)
P-Channel
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs
16m Ω @ 9A, 10V
45m Ω @ 6A, 10V
16m Ω @ 8A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id
1.6V @ 250μA
2.1V @ 250μA
2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
798pF @ 10V
722pF @ 25V
1655pF @ 20V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs
9.47nC @ 5V
13.7nC @ 10V
30.7nC @ 10V
Время подъема
4.5ns
5.3ns
8ns
Угол настройки (макс.)
±25V
-
±25V
Время падения (тип)
4.5 ns
14.7 ns
30 ns
Непрерывный ток стока (ID)
8.6A
6.9A
11A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
25V
20V
25V
Максимальный сливовой ток (ID)
9A
-
-
Напряжение пробоя стока к истоку
30V
-
-30V
Максимальный импульсный ток вывода
50A
-
40A
Высота
1.5mm
1.5mm
1.5mm
Длина
4.95mm
5.3mm
5.3mm
Ширина
3.95mm
4.1mm
4.1mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Максимальная потеря мощности
-
2.5W
-
Основной номер части
-
DMP3056LSD
-
Напряжение стока-исток (Vdss)
-
30V
30V
Сопротивление открытого канала-макс
-
0.045Ohm
-
Минимальная напряжённость разрушения
-
30V
-
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)
-
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
-
Характеристика ТРП
-
Logic Level Gate
-
Конфигурация
-
-
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE