Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMN4800LSS-13 Альтернативные части: DMP3035LSS-13
DMN4800LSS-13Diodes Incorporated
В наличии: 10949
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
44.275000 ₽
44.23 ₽
10
41.768874 ₽
417.72 ₽
100
39.404588 ₽
3,940.52 ₽
500
37.174148 ₽
18,587.09 ₽
1000
35.069945 ₽
35,069.92 ₽
Цена за единицу: 44.275000 ₽
Итоговая цена: 44.23 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP | MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC |
Срок поставки от производителя | 15 Weeks | 7 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 |
Вес | 73.992255mg | 850.995985mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 9A Ta | 11A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 20V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 1.46W Ta | 2W Ta |
Время отключения | 26.33 ns | 46 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2009 | 2009 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 |
Число контактов | 8 | 8 |
Каналов количество | 1 | 1 |
Конфигурация элемента | Single | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 1.7W | - |
Время задержки включения | 5.03 ns | 5.1 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | P-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 16m Ω @ 9A, 10V | 16m Ω @ 8A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1.6V @ 250μA | 2V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 798pF @ 10V | 1655pF @ 20V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 9.47nC @ 5V | 30.7nC @ 10V |
Время подъема | 4.5ns | 8ns |
Угол настройки (макс.) | ±25V | ±25V |
Время падения (тип) | 4.5 ns | 30 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 8.6A | 11A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 25V | 25V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 9A | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | -30V |
Максимальный импульсный ток вывода | 50A | 40A |
Высота | 1.5mm | 1.5mm |
Длина | 4.95mm | 5.3mm |
Ширина | 3.95mm | 4.1mm |
REACH SVHC | No SVHC | - |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Конфигурация | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | 30V |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMP3056LSD-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC | Для сравнения |
| DMP3035LSS-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC | Для сравнения |
 | DMP3056LSS-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | P-Channel 30 V 45 mO Enhancement Mode Field Effect Transistor - SOP-8 | Для сравнения |