DMN4020LFDE-7 Альтернативные части: DMP32D4SFB-7B ,DMG4800LFG-7

DMN4020LFDE-7Diodes Incorporated

  • DMN4020LFDE-7Diodes Incorporated
  • DMP32D4SFB-7BDiodes Incorporated
  • DMG4800LFG-7Diodes Incorporated

В наличии: 26

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    12.122665 ₽

    12.09 ₽

  • 10

    11.436470 ₽

    114.42 ₽

  • 100

    10.789135 ₽

    1,078.85 ₽

  • 500

    10.178420 ₽

    5,089.15 ₽

  • 1000

    9.602280 ₽

    9,602.34 ₽

Цена за единицу: 12.122665 ₽

Итоговая цена: 12.09 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
MOSFET N-CH 40V 6-UDFN
MOSFET P-CH 30V 400MA SOT323
MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
Срок поставки от производителя
22 Weeks
16 Weeks
16 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
6-UDFN Exposed Pad
3-UFDFN
8-PowerUDFN
Количество контактов
6
3
8
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C
8A Ta
400mA Ta
7.44A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)
4.5V 10V
2.5V 10V
4.5V 10V
Максимальная мощность рассеяния
660mW Ta
500mW Ta
940mW Ta
Время отключения
15.1 ns
31.3 ns
26.33 ns
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Digi-Reel®
Опубликовано
2013
2017
2009
Код JESD-609
e4
e4
e4
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Каналов количество
1
1
1
Конфигурация элемента
Single
Single
-
Время задержки включения
5.3 ns
3.6 ns
5.03 ns
Тип ТРВ
N-Channel
P-Channel
N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs
20m Ω @ 8A, 10V
2.4 Ω @ 200mA, 10V
17m Ω @ 9A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 250μA
2.3V @ 250μA
1.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
1060pF @ 20V
51pF @ 15V
798pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs
19.1nC @ 10V
1.3nC @ 10V
9.47nC @ 5V
Время подъема
7.1ns
8.5ns
4.5ns
Угол настройки (макс.)
±20V
±20V
±25V
Время падения (тип)
4.8 ns
20.2 ns
8.55 ns
Непрерывный ток стока (ID)
8A
500mA
7.44A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
20V
20V
25V
Напряжение пробоя стока к истоку
40V
-30V
-
Высота
580μm
480μm
-
Длина
2.05mm
1.08mm
-
Ширина
2.05mm
675μm
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
30
40
Напряжение стока-исток (Vdss)
-
30V
30V
Максимальный сливовой ток (ID)
-
0.5A
-
REACH SVHC
-
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
-
No
No
Материал элемента транзистора
-
-
SILICON
Количество элементов
-
-
1
Безоловая кодировка
-
-
yes
Количество выводов
-
-
5
Положение терминала
-
-
DUAL
Число контактов
-
-
8
Код JESD-30
-
-
S-PDSO-N5
Конфигурация
-
-
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы
-
-
ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка
-
-
DRAIN
Применение транзистора
-
-
SWITCHING
Минимальная напряжённость разрушения
-
-
30V