DMN4020LFDE-7Diodes Incorporated
В наличии: 26
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
12.122665 ₽
12.09 ₽
10
11.436470 ₽
114.42 ₽
100
10.789135 ₽
1,078.85 ₽
500
10.178420 ₽
5,089.15 ₽
1000
9.602280 ₽
9,602.34 ₽
Цена за единицу: 12.122665 ₽
Итоговая цена: 12.09 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N-CH 40V 6-UDFN | MOSFET P-CH 30V 400MA SOT323 | MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN |
Срок поставки от производителя | 22 Weeks | 16 Weeks | 16 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-UDFN Exposed Pad | 3-UFDFN | 8-PowerUDFN |
Количество контактов | 6 | 3 | 8 |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 8A Ta | 400mA Ta | 7.44A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 2.5V 10V | 4.5V 10V |
Максимальная мощность рассеяния | 660mW Ta | 500mW Ta | 940mW Ta |
Время отключения | 15.1 ns | 31.3 ns | 26.33 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Digi-Reel® |
Опубликовано | 2013 | 2017 | 2009 |
Код JESD-609 | e4 | e4 | e4 |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
Каналов количество | 1 | 1 | 1 |
Конфигурация элемента | Single | Single | - |
Время задержки включения | 5.3 ns | 3.6 ns | 5.03 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 20m Ω @ 8A, 10V | 2.4 Ω @ 200mA, 10V | 17m Ω @ 9A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.4V @ 250μA | 2.3V @ 250μA | 1.5V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1060pF @ 20V | 51pF @ 15V | 798pF @ 10V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 19.1nC @ 10V | 1.3nC @ 10V | 9.47nC @ 5V |
Время подъема | 7.1ns | 8.5ns | 4.5ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | ±25V |
Время падения (тип) | 4.8 ns | 20.2 ns | 8.55 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 8A | 500mA | 7.44A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 25V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 40V | -30V | - |
Высота | 580μm | 480μm | - |
Длина | 2.05mm | 1.08mm | - |
Ширина | 2.05mm | 675μm | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 30 | 40 |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | 30V | 30V |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | 0.5A | - |
REACH SVHC | - | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | - | No | No |
Материал элемента транзистора | - | - | SILICON |
Количество элементов | - | - | 1 |
Безоловая кодировка | - | - | yes |
Количество выводов | - | - | 5 |
Положение терминала | - | - | DUAL |
Число контактов | - | - | 8 |
Код JESD-30 | - | - | S-PDSO-N5 |
Конфигурация | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Режим работы | - | - | ENHANCEMENT MODE |
Сокетная связка | - | - | DRAIN |
Применение транзистора | - | - | SWITCHING |
Минимальная напряжённость разрушения | - | - | 30V |