Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMN4020LFDE-7 Альтернативные части: DMP58D0LFB-7
DMN4020LFDE-7Diodes Incorporated
В наличии: 26
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
12.122665 ₽
12.09 ₽
10
11.436470 ₽
114.42 ₽
100
10.789135 ₽
1,078.85 ₽
500
10.178420 ₽
5,089.15 ₽
1000
9.602280 ₽
9,602.34 ₽
Цена за единицу: 12.122665 ₽
Итоговая цена: 12.09 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET N-CH 40V 6-UDFN | Trans MOSFET P-CH 50V 0.31A Automotive 3-Pin DFN T/R |
Срок поставки от производителя | 22 Weeks | 19 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-UDFN Exposed Pad | 3-UFDFN |
Количество контактов | 6 | 3 |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 8A Ta | 180mA Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 2.5V 5V |
Максимальная мощность рассеяния | 660mW Ta | 470mW Ta |
Время отключения | 15.1 ns | 201.8 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2013 | 2015 |
Код JESD-609 | e4 | e4 |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
Каналов количество | 1 | 1 |
Конфигурация элемента | Single | - |
Время задержки включения | 5.3 ns | 30.7 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | P-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 20m Ω @ 8A, 10V | 8 Ω @ 100mA, 5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.4V @ 250μA | 2.1V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1060pF @ 20V | 27pF @ 25V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 19.1nC @ 10V | - |
Время подъема | 7.1ns | 84.1ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 4.8 ns | 32.2 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 8A | 310mA |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 40V | -50V |
Высота | 580μm | - |
Длина | 2.05mm | - |
Ширина | 2.05mm | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Материал элемента транзистора | - | SILICON |
Количество элементов | - | 1 |
Безоловая кодировка | - | yes |
Количество выводов | - | 3 |
Дополнительная Характеристика | - | HIGH RELIABILITY |
Положение терминала | - | BOTTOM |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 40 |
Число контактов | - | 3 |
Конфигурация | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Режим работы | - | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | - | 1.22W |
Сокетная связка | - | DRAIN |
Применение транзистора | - | SWITCHING |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | 50V |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 8Ohm |
REACH SVHC | - | No SVHC |
Корпусировка на излучение | - | No |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMG4800LFG-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerUDFN | MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN | Для сравнения |
 | DMP58D0LFB-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 3-UFDFN | Trans MOSFET P-CH 50V 0.31A Automotive 3-Pin DFN T/R | Для сравнения |
| DMP32D4SFB-7B | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 3-UFDFN | MOSFET P-CH 30V 400MA SOT323 | Для сравнения |