DMN4020LFDE-7 Альтернативные части: DMG4800LFG-7 ,DMP58D0LFB-7

DMN4020LFDE-7Diodes Incorporated

В наличии: 26

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
12.122665 ₽
12.09 ₽
10
11.436470 ₽
114.42 ₽
100
10.789135 ₽
1,078.85 ₽
500
10.178420 ₽
5,089.15 ₽
1000
9.602280 ₽
9,602.34 ₽

Цена за единицу: 12.122665 ₽

Итоговая цена: 12.09 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMN4020LFDE-7	иDMG4800LFG-7	иDMP58D0LFB-7
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	MOSFET N-CH 40V 6-UDFN	MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN	Trans MOSFET P-CH 50V 0.31A Automotive 3-Pin DFN T/R
Срок поставки от производителя	22 Weeks	16 Weeks	19 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	6-UDFN Exposed Pad	8-PowerUDFN	3-UFDFN
Количество контактов	6	8	3
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	8A Ta	7.44A Ta	180mA Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V	2.5V 5V
Максимальная мощность рассеяния	660mW Ta	940mW Ta	470mW Ta
Время отключения	15.1 ns	26.33 ns	201.8 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Digi-Reel®	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2013	2009	2015
Код JESD-609	e4	e4	e4
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Каналов количество	1	1	1
Конфигурация элемента	Single	-	-
Время задержки включения	5.3 ns	5.03 ns	30.7 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel	P-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	20m Ω @ 8A, 10V	17m Ω @ 9A, 10V	8 Ω @ 100mA, 5V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.4V @ 250μA	1.5V @ 250μA	2.1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	1060pF @ 20V	798pF @ 10V	27pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	19.1nC @ 10V	9.47nC @ 5V	-
Время подъема	7.1ns	4.5ns	84.1ns
Угол настройки (макс.)	±20V	±25V	±20V
Время падения (тип)	4.8 ns	8.55 ns	32.2 ns
Непрерывный ток стока (ID)	8A	7.44A	310mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	25V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	40V	-	-50V
Высота	580μm	-	-
Длина	2.05mm	-	-
Ширина	2.05mm	-	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Материал элемента транзистора	-	SILICON	SILICON
Количество элементов	-	1	1
Безоловая кодировка	-	yes	yes
Количество выводов	-	5	3
Положение терминала	-	DUAL	BOTTOM
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	40	40
Число контактов	-	8	3
Код JESD-30	-	S-PDSO-N5	-
Конфигурация	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы	-	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка	-	DRAIN	DRAIN
Применение транзистора	-	SWITCHING	SWITCHING
Напряжение стока-исток (Vdss)	-	30V	50V
Минимальная напряжённость разрушения	-	30V	-
REACH SVHC	-	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	-	No	No
Дополнительная Характеристика	-	-	HIGH RELIABILITY
Распад мощности	-	-	1.22W
Сопротивление открытого канала-макс	-	-	8Ohm

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DMG4800LFG-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerUDFN	MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN	Для сравнения
DMP58D0LFB-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	3-UFDFN	Trans MOSFET P-CH 50V 0.31A Automotive 3-Pin DFN T/R	Для сравнения
DMP32D4SFB-7B	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	3-UFDFN	MOSFET P-CH 30V 400MA SOT323	Для сравнения