DMN3024LSS-13Diodes Incorporated
В наличии: 2318
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
61.404835 ₽
61.40 ₽
10
57.929135 ₽
579.26 ₽
100
54.650110 ₽
5,464.97 ₽
500
51.556648 ₽
25,778.30 ₽
1000
48.638393 ₽
48,638.46 ₽
Цена за единицу: 61.404835 ₽
Итоговая цена: 61.40 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO | MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-SOIC | MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC |
Срок поставки от производителя | 30 Weeks | 14 Weeks | 12 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Поставщик упаковки устройства | 8-SO | - | - |
Вес | 73.992255mg | 186.993455mg | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 6.4A Ta | 10.9A Ta | 6.4A 9.7A |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V | - |
Максимальная мощность рассеяния | 1.6W Ta | 2.4W Ta 5W Tc | - |
Время отключения | 16 ns | 15 ns | - |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2009 | 2016 | 1999 |
Состояние изделия | Discontinued | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | - | - |
Минимальная температура работы | -55°C | - | - |
Каналов количество | 1 | 1 | - |
Время задержки включения | 2.9 ns | 5 ns | - |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | 2 N-Channel (Dual) |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 7A, 10V | 24m Ω @ 7.8A, 10V | 22.6m Ω @ 6.4A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 2.5V @ 250μA | 2.25V @ 25μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 608pF @ 15V | 435pF @ 15V | 580pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 12.9nC @ 10V | 12nC @ 10V | 6.9nC @ 4.5V |
Время подъема | 3.3ns | 10ns | - |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | 30V | - |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | - |
Время падения (тип) | 8 ns | 10 ns | - |
Непрерывный ток стока (ID) | 8.5A | 10.9A | 9.7A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | - | 30V |
Входной ёмкости | 608pF | - | - |
Сопротивление стока к истоку | 24mOhm | - | - |
Rds на макс. | 24 mΩ | - | - |
REACH SVHC | No SVHC | - | - |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | - | Lead Free |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | SILICON |
Количество элементов | - | 1 | 2 |
Серия | - | TrenchFET® | HEXFET® |
Код JESD-609 | - | e3 | e3 |
Количество выводов | - | 8 | 8 |
Код ECCN | - | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | - | MATTE TIN | Matte Tin (Sn) |
Положение терминала | - | DUAL | - |
Форма вывода | - | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 40 | - |
Число контактов | - | 8 | - |
Конфигурация элемента | - | Single | Dual |
Режим работы | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Применение транзистора | - | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 0.024Ohm | - |
Минимальная напряжённость разрушения | - | 30V | - |
Высота | - | 1.5mm | 1.4986mm |
Длина | - | 5mm | 4.9784mm |
Ширина | - | 4mm | 3.9878mm |
Сопротивление | - | - | 22.6MOhm |
Максимальная потеря мощности | - | - | 2W |
Основной номер части | - | - | IRF7902PBF |
Распад мощности | - | - | 2W |
Мощность - Макс | - | - | 1.4W 2W |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | - | 7.3 mJ |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Характеристика ТРП | - | - | Logic Level Gate |