DMN3024LSS-13 Альтернативные части: IRF7902TRPBF

DMN3024LSS-13Diodes Incorporated

  • DMN3024LSS-13Diodes Incorporated
  • IRF7902TRPBFInfineon Technologies

В наличии: 2318

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    61.404835 ₽

    61.40 ₽

  • 10

    57.929135 ₽

    579.26 ₽

  • 100

    54.650110 ₽

    5,464.97 ₽

  • 500

    51.556648 ₽

    25,778.30 ₽

  • 1000

    48.638393 ₽

    48,638.46 ₽

Цена за единицу: 61.404835 ₽

Итоговая цена: 61.40 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC
Срок поставки от производителя
30 Weeks
12 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов
8
8
Поставщик упаковки устройства
8-SO
-
Вес
73.992255mg
-
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C
6.4A Ta
6.4A 9.7A
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)
4.5V 10V
-
Максимальная мощность рассеяния
1.6W Ta
-
Время отключения
16 ns
-
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Cut Tape (CT)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2009
1999
Состояние изделия
Discontinued
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура
150°C
-
Минимальная температура работы
-55°C
-
Каналов количество
1
-
Время задержки включения
2.9 ns
-
Тип ТРВ
N-Channel
2 N-Channel (Dual)
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs
24mOhm @ 7A, 10V
22.6m Ω @ 6.4A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id
3V @ 250μA
2.25V @ 25μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
608pF @ 15V
580pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs
12.9nC @ 10V
6.9nC @ 4.5V
Время подъема
3.3ns
-
Напряжение стока-исток (Vdss)
30V
-
Угол настройки (макс.)
±20V
-
Время падения (тип)
8 ns
-
Непрерывный ток стока (ID)
8.5A
9.7A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
20V
20V
Напряжение пробоя стока к истоку
30V
30V
Входной ёмкости
608pF
-
Сопротивление стока к истоку
24mOhm
-
Rds на макс.
24 mΩ
-
REACH SVHC
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Материал элемента транзистора
-
SILICON
Количество элементов
-
2
Серия
-
HEXFET®
Код JESD-609
-
e3
Количество выводов
-
8
Код ECCN
-
EAR99
Сопротивление
-
22.6MOhm
Конечная обработка контакта
-
Matte Tin (Sn)
Максимальная потеря мощности
-
2W
Форма вывода
-
GULL WING
Основной номер части
-
IRF7902PBF
Конфигурация элемента
-
Dual
Режим работы
-
ENHANCEMENT MODE
Распад мощности
-
2W
Мощность - Макс
-
1.4W 2W
Применение транзистора
-
SWITCHING
Рейтинг энергии лавины (Eas)
-
7.3 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)
-
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП
-
Logic Level Gate
Высота
-
1.4986mm
Длина
-
4.9784mm
Ширина
-
3.9878mm