DMN3024LSS-13 Альтернативные части: DMN3025LSS-13 ,SI4128DY-T1-E3

DMN3024LSS-13Diodes Incorporated

В наличии: 2318

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
61.404835 ₽
61.40 ₽
10
57.929135 ₽
579.26 ₽
100
54.650110 ₽
5,464.97 ₽
500
51.556648 ₽
25,778.30 ₽
1000
48.638393 ₽
48,638.46 ₽

Цена за единицу: 61.404835 ₽

Итоговая цена: 61.40 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMN3024LSS-13	иDMN3025LSS-13	иSI4128DY-T1-E3
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Vishay Siliconix
Описание:	MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO	MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO	MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-SOIC
Срок поставки от производителя	30 Weeks	7 Weeks	14 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8	8
Поставщик упаковки устройства	8-SO	-	-
Вес	73.992255mg	73.992255mg	186.993455mg
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	6.4A Ta	7.2A Ta	10.9A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V	4.5V 10V
Максимальная мощность рассеяния	1.6W Ta	1.4W Ta	2.4W Ta 5W Tc
Время отключения	16 ns	22.3 ns	15 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Cut Tape (CT)	Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2009	2013	2016
Состояние изделия	Discontinued	Discontinued	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура	150°C	-	-
Минимальная температура работы	-55°C	-	-
Каналов количество	1	1	1
Время задержки включения	2.9 ns	3.3 ns	5 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	24mOhm @ 7A, 10V	20m Ω @ 10A, 10V	24m Ω @ 7.8A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3V @ 250μA	2V @ 250μA	2.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	608pF @ 15V	641pF @ 15V	435pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	12.9nC @ 10V	13.2nC @ 10V	12nC @ 10V
Время подъема	3.3ns	4.4ns	10ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	30V	-	30V
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V	±20V
Время падения (тип)	8 ns	5.3 ns	10 ns
Непрерывный ток стока (ID)	8.5A	7.2A	10.9A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V	-
Входной ёмкости	608pF	-	-
Сопротивление стока к истоку	24mOhm	-	-
Rds на макс.	24 mΩ	-	-
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	-
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	-
Код JESD-609	-	e3	e3
Код ECCN	-	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	-	Matte Tin (Sn)	MATTE TIN
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	30	40
Конфигурация	-	Single	-
Высота	-	1.5mm	1.5mm
Длина	-	4.95mm	5mm
Ширина	-	3.95mm	4mm
Материал элемента транзистора	-	-	SILICON
Количество элементов	-	-	1
Серия	-	-	TrenchFET®
Количество выводов	-	-	8
Положение терминала	-	-	DUAL
Форма вывода	-	-	GULL WING
Число контактов	-	-	8
Конфигурация элемента	-	-	Single
Режим работы	-	-	ENHANCEMENT MODE
Применение транзистора	-	-	SWITCHING
Сопротивление открытого канала-макс	-	-	0.024Ohm
Минимальная напряжённость разрушения	-	-	30V

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
SI4128DY-T1-E3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-SOIC	Для сравнения
IRF7902TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC	Для сравнения
DMG4466SSSL-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 10A 8SO	Для сравнения
DMN3025LSS-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO	Для сравнения