Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMN3024LSS-13 Альтернативные части: DMG4466SSSL-13 ,DMN3025LSS-13
DMN3024LSS-13Diodes Incorporated
В наличии: 2318
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
61.404835 ₽
61.40 ₽
10
57.929135 ₽
579.26 ₽
100
54.650110 ₽
5,464.97 ₽
500
51.556648 ₽
25,778.30 ₽
1000
48.638393 ₽
48,638.46 ₽
Цена за единицу: 61.404835 ₽
Итоговая цена: 61.40 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO | MOSFET N-CH 30V 10A 8SO | MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO |
Срок поставки от производителя | 30 Weeks | 7 Weeks | 7 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Поставщик упаковки устройства | 8-SO | - | - |
Вес | 73.992255mg | 73.992255mg | 73.992255mg |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 6.4A Ta | 10A Ta | 7.2A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Максимальная мощность рассеяния | 1.6W Ta | 1.42W Ta | 1.4W Ta |
Время отключения | 16 ns | 14.6 ns | 22.3 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
Опубликовано | 2009 | 2010 | 2013 |
Состояние изделия | Discontinued | Active | Discontinued |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | - | - |
Минимальная температура работы | -55°C | - | - |
Каналов количество | 1 | 1 | 1 |
Время задержки включения | 2.9 ns | 2.9 ns | 3.3 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 7A, 10V | 23m Ω @ 10A, 10V | 20m Ω @ 10A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 2.4V @ 250μA | 2V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 608pF @ 15V | 478.9pF @ 15V | 641pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 12.9nC @ 10V | 17nC @ 10V | 13.2nC @ 10V |
Время подъема | 3.3ns | 7.9ns | 4.4ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | - | - |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 8 ns | 3.1 ns | 5.3 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 8.5A | 10A | 7.2A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V | 30V |
Входной ёмкости | 608pF | - | - |
Сопротивление стока к истоку | 24mOhm | - | - |
Rds на макс. | 24 mΩ | - | - |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | - | Lead Free |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | - |
Количество элементов | - | 1 | - |
Код JESD-609 | - | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | - | yes | - |
Количество выводов | - | 8 | - |
Код ECCN | - | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | - | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Дополнительная Характеристика | - | HIGH RELIABILITY | - |
Положение терминала | - | DUAL | - |
Форма вывода | - | GULL WING | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 40 | 30 |
Число контактов | - | 8 | - |
Конфигурация | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | Single |
Режим работы | - | ENHANCEMENT MODE | - |
Применение транзистора | - | SWITCHING | - |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 0.023Ohm | - |
Максимальный импульсный ток вывода | - | 60A | - |
Высота | - | - | 1.5mm |
Длина | - | - | 4.95mm |
Ширина | - | - | 3.95mm |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4128DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 10.9A 8-SOIC | Для сравнения |
 | IRF7902TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC | Для сравнения |
 | DMG4466SSSL-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 10A 8SO | Для сравнения |
| DMN3025LSS-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO | Для сравнения |