DMN2215UDM-7 Альтернативные части: DMG6968UDM-7 ,DMP2066LDM-7

DMN2215UDM-7Diodes Incorporated

В наличии: 4259

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
18.376648 ₽
18.41 ₽
10
17.336456 ₽
173.35 ₽
100
16.355151 ₽
1,635.58 ₽
500
15.429382 ₽
7,714.70 ₽
1000
14.556030 ₽
14,556.04 ₽

Цена за единицу: 18.376648 ₽

Итоговая цена: 18.41 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMN2215UDM-7	иDMG6968UDM-7	иDMP2066LDM-7
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	MOSFET 2N-CH 20V 2A SOT-26	MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26	MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26
Срок поставки от производителя	19 Weeks	15 Weeks	-
Покрытие контактов	Tin	-	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SOT-23-6	SOT-23-6	SOT-23-6
Количество контактов	6	6	6
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Количество элементов	2	2	1
Время отключения	19.6 ns	562 ns	28 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2008	2009	2011
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	6	6	6
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности	650mW	850mW	-
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	40
Основной номер части	DMN2215UDM	DMG6968UDM	-
Число контактов	6	6	6
Квалификационный Статус	Not Qualified	-	-
Конфигурация элемента	Dual	Dual	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	650mW	850mW	1.25W
Время задержки включения	8 ns	53 ns	4.4 ns
Тип ТРВ	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual) Common Drain	P-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	-	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	100m Ω @ 2.5A, 4.5V	24m Ω @ 6.5A, 4.5V	40m Ω @ 4.6A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id	1V @ 250μA	900mV @ 250μA	1.2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	188pF @ 10V	143pF @ 10V	820pF @ 15V
Время подъема	3.8ns	78ns	9.9ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	20V	20V	20V
Время падения (тип)	3.8 ns	234 ns	9.9 ns
Непрерывный ток стока (ID)	2A	6.5A	4.6A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	12V	8V	12V
Максимальный сливовой ток (ID)	2A	-	-
Сопротивление открытого канала-макс	0.1Ohm	-	-
Напряжение пробоя стока к истоку	20V	20V	-
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-
Характеристика ТРП	Logic Level Gate	Logic Level Gate	-
Высота	1.1mm	1.1mm	1.1mm
Длина	3mm	3mm	3mm
Ширина	1.6mm	1.6mm	1.6mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Сопротивление	-	24mOhm	40mOhm
Конечная обработка контакта	-	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	-	8.8nC @ 4.5V	10.1nC @ 4.5V
Корпусировка на излучение	-	No	No
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	-	-	4.6A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	-	-	2.5V 4.5V
Максимальная мощность рассеяния	-	-	1.25W Ta
Положение терминала	-	-	DUAL
Каналов количество	-	-	1
Угол настройки (макс.)	-	-	±12V
Пороговое напряжение	-	-	960mV
Минимальная напряжённость разрушения	-	-	20V

Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DMG6968UDM-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	SOT-23-6	MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26	Для сравнения
DMP2066LDM-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	SOT-23-6	MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26	Для сравнения
DMP2240UDM-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	SOT-23-6	MOSFET 2P-CH 20V 2A SOT-26	Для сравнения