Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMN2215UDM-7 Альтернативные части: DMP2066LDM-7
DMN2215UDM-7Diodes Incorporated
В наличии: 4259
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
18.376648 ₽
18.41 ₽
10
17.336456 ₽
173.35 ₽
100
16.355151 ₽
1,635.58 ₽
500
15.429382 ₽
7,714.70 ₽
1000
14.556030 ₽
14,556.04 ₽
Цена за единицу: 18.376648 ₽
Итоговая цена: 18.41 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET 2N-CH 20V 2A SOT-26 | MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26 |
Срок поставки от производителя | 19 Weeks | - |
Покрытие контактов | Tin | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-23-6 | SOT-23-6 |
Количество контактов | 6 | 6 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Количество элементов | 2 | 1 |
Время отключения | 19.6 ns | 28 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2008 | 2011 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 6 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
Максимальная потеря мощности | 650mW | - |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 |
Основной номер части | DMN2215UDM | - |
Число контактов | 6 | 6 |
Квалификационный Статус | Not Qualified | - |
Конфигурация элемента | Dual | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 650mW | 1.25W |
Время задержки включения | 8 ns | 4.4 ns |
Тип ТРВ | 2 N-Channel (Dual) | P-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 100m Ω @ 2.5A, 4.5V | 40m Ω @ 4.6A, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1V @ 250μA | 1.2V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 188pF @ 10V | 820pF @ 15V |
Время подъема | 3.8ns | 9.9ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 20V | 20V |
Время падения (тип) | 3.8 ns | 9.9 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 2A | 4.6A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 12V | 12V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 2A | - |
Сопротивление открытого канала-макс | 0.1Ohm | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | 20V | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | - |
Высота | 1.1mm | 1.1mm |
Длина | 3mm | 3mm |
Ширина | 1.6mm | 1.6mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | - | 4.6A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | 2.5V 4.5V |
Максимальная мощность рассеяния | - | 1.25W Ta |
Сопротивление | - | 40mOhm |
Конечная обработка контакта | - | Matte Tin (Sn) |
Положение терминала | - | DUAL |
Каналов количество | - | 1 |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | - | 10.1nC @ 4.5V |
Угол настройки (макс.) | - | ±12V |
Пороговое напряжение | - | 960mV |
Минимальная напряжённость разрушения | - | 20V |
Корпусировка на излучение | - | No |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMG6968UDM-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | SOT-23-6 | MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26 | Для сравнения |
| DMP2066LDM-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | SOT-23-6 | MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26 | Для сравнения |
| DMP2240UDM-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | SOT-23-6 | MOSFET 2P-CH 20V 2A SOT-26 | Для сравнения |