Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMN2028USS-13 Альтернативные части: DMG6898LSDQ-13 ,SI4403BDY-T1-E3
DMN2028USS-13Diodes Incorporated
В наличии: 3645
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
82.512747 ₽
82.55 ₽
10
77.842239 ₽
778.43 ₽
100
73.436058 ₽
7,343.54 ₽
500
69.279327 ₽
34,639.70 ₽
1000
65.357871 ₽
65,357.83 ₽
Цена за единицу: 82.512747 ₽
Итоговая цена: 82.55 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | 20V N-Channel Enhancement MOSFET SOIC8 | MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO | Trans MOSFET P-CH 20V 7.3A 8-Pin SOIC N T/R |
Срок поставки от производителя | 16 Weeks | 16 Weeks | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 73.992255mg | - | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 7.3A Ta | - | 7.3A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 1.5V 4.5V | - | 1.8V 4.5V |
Количество элементов | 1 | 2 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 1.56W Ta | - | 1.35W Ta |
Время отключения | 35.89 ns | - | 150 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2017 | 2014 | 2016 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | - |
Состояние изделия | Active | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | MATTE TIN |
Дополнительная Характеристика | ESD PROTECTION, HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY | - |
Положение терминала | DUAL | - | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 | 30 |
Число контактов | 8 | - | 8 |
Каналов количество | 1 | - | - |
Конфигурация элемента | Single | - | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 1.56W | - | 1.35W |
Время задержки включения | 11.67 ns | - | 25 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | 2 N-Channel (Dual) | P-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | - |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 20m Ω @ 9.4A, 4.5V | 16m Ω @ 9.4A, 4.5V | 17m Ω @ 9.9A, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1.3V @ 250μA | 1.5V @ 250μA | 1V @ 350μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1000pF @ 10V | 1149pF @ 10V | - |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 11.6nC @ 4.5V | 26nC @ 10V | 50nC @ 5V |
Время подъема | 12.49ns | - | 45ns |
Угол настройки (макс.) | ±8V | - | ±8V |
Время падения (тип) | 12.33 ns | - | 45 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 9.8A | 9.5A | 7.3A |
Пороговое напряжение | 1V | - | - |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 12V | - | 8V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 5.6A | - | - |
Сопротивление открытого канала-макс | 0.02Ohm | 0.016Ohm | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | 20V | - | 20V |
Высота | 1.5mm | - | 1.55mm |
Длина | 5mm | - | 5mm |
Ширина | 4mm | - | 4mm |
REACH SVHC | No SVHC | - | - |
Корпусировка на излучение | No | - | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Максимальная потеря мощности | - | 1.28W | - |
Нормативная Марка | - | AEC-Q101 | - |
Конфигурация | - | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | - |
Мощность - Макс | - | 1.28W | - |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | 20V | - |
Максимальный импульсный ток вывода | - | 30A | - |
Минимальная напряжённость разрушения | - | 20V | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
Характеристика ТРП | - | Standard | - |
Серия | - | - | TrenchFET® |
Сопротивление | - | - | 17mOhm |
Без свинца | - | - | Lead Free |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF8915TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF8910TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC | Для сравнения |
 | DMG6898LSDQ-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO | Для сравнения |
 | SI4403BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET P-CH 20V 7.3A 8-Pin SOIC N T/R | Для сравнения |