DMN2028USS-13 Альтернативные части: IRF8915TRPBF

DMN2028USS-13Diodes Incorporated

В наличии: 3645

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
82.512747 ₽
82.55 ₽
10
77.842239 ₽
778.43 ₽
100
73.436058 ₽
7,343.54 ₽
500
69.279327 ₽
34,639.70 ₽
1000
65.357871 ₽
65,357.83 ₽

Цена за единицу: 82.512747 ₽

Итоговая цена: 82.55 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMN2028USS-13	иIRF8915TRPBF
Производитель:	Diodes Incorporated	Infineon Technologies
Описание:	20V N-Channel Enhancement MOSFET SOIC8	MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
Срок поставки от производителя	16 Weeks	12 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Вес	73.992255mg	-
Материал элемента транзистора	SILICON	-
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	7.3A Ta	-
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	1.5V 4.5V	-
Количество элементов	1	2
Максимальная мощность рассеяния	1.56W Ta	-
Время отключения	35.89 ns	7.1 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2017	2008
Код JESD-609	e3	-
Безоловая кодировка	yes	-
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	-
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	-
Дополнительная Характеристика	ESD PROTECTION, HIGH RELIABILITY	-
Положение терминала	DUAL	-
Форма вывода	GULL WING	-
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	-
Число контактов	8	-
Каналов количество	1	-
Конфигурация элемента	Single	Dual
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	-
Распад мощности	1.56W	2W
Время задержки включения	11.67 ns	6 ns
Тип ТРВ	N-Channel	2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора	SWITCHING	-
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	20m Ω @ 9.4A, 4.5V	18.3m Ω @ 8.9A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	1.3V @ 250μA	2.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	1000pF @ 10V	540pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	11.6nC @ 4.5V	7.4nC @ 4.5V
Время подъема	12.49ns	12ns
Угол настройки (макс.)	±8V	-
Время падения (тип)	12.33 ns	3.6 ns
Непрерывный ток стока (ID)	9.8A	8.9A
Пороговое напряжение	1V	2.5V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	12V	20V
Максимальный сливовой ток (ID)	5.6A	-
Сопротивление открытого канала-макс	0.02Ohm	-
Напряжение пробоя стока к истоку	20V	20V
Высота	1.5mm	1.4986mm
Длина	5mm	4.9784mm
Ширина	4mm	3.9878mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Серия	-	HEXFET®
Сопротивление	-	18.3MOhm
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	20V
Максимальная потеря мощности	-	2W
Моментальный ток	-	8.9A
Основной номер части	-	IRF8915PBF
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП	-	Logic Level Gate
Без свинца	-	Lead Free

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRF8915TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC	Для сравнения
IRF8910TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC	Для сравнения
DMG6898LSDQ-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO	Для сравнения
SI4403BDY-T1-E3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	Trans MOSFET P-CH 20V 7.3A 8-Pin SOIC N T/R	Для сравнения