DMN1150UFB-7B Альтернативные части: DMP2104LP-7 ,DMN2250UFB-7B

DMN1150UFB-7BDiodes Incorporated

В наличии: 23637

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
34.540220 ₽
34.48 ₽
10
32.585151 ₽
325.82 ₽
100
30.740701 ₽
3,074.04 ₽
500
29.000646 ₽
14,500.27 ₽
1000
27.359121 ₽
27,359.07 ₽

Цена за единицу: 34.540220 ₽

Итоговая цена: 34.48 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMN1150UFB-7B	иDMP2104LP-7	иDMN2250UFB-7B
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN	MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-DFN	MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN
Срок поставки от производителя	15 Weeks	16 Weeks	6 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	3-UFDFN	3-XDFN	3-UFDFN
Количество контактов	3	3	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	1.41A Ta	1.5A Ta	1.35A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	1.8V 4.5V	1.8V 4.5V	1.8V 4.5V
Количество элементов	1	1	1
Максимальная мощность рассеяния	500mW Ta	500mW Ta	500mW Ta
Время отключения	57 ns	-	59.4 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)
Опубликовано	2013	2007	2013
Код JESD-609	e4	e4	e4
Состояние изделия	Active	Active	Discontinued
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	-	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
Положение терминала	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	30	40	30
Каналов количество	1	1	1
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка	DRAIN	DRAIN	DRAIN
Время задержки включения	4.1 ns	-	4.3 ns
Тип ТРВ	N-Channel	P-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	150m Ω @ 1A, 4.5V	150m Ω @ 950mA, 4.5V	170m Ω @ 1A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id	1V @ 250μA	1V @ 250μA	1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	106pF @ 10V	320pF @ 16V	94pF @ 16V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	1.5nC @ 4.5V	-	3.1nC @ 10V
Время подъема	34.5ns	-	6.1ns
Угол настройки (макс.)	±6V	±12V	±8V
Время падения (тип)	30 ns	-	25.4 ns
Непрерывный ток стока (ID)	1.41A	1.5A	1.35A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	6V	12V	8V
Напряжение пробоя стока к истоку	12V	-20V	-
Высота	480μm	480μm	480μm
Длина	1.08mm	1.4mm	1.08mm
Ширина	675μm	1.1mm	675μm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	-
Покрытие контактов	-	Gold	-
Безоловая кодировка	-	yes	-
Сопротивление	-	240mOhm	-
Число контактов	-	3	-
Распад мощности	-	500mW	-
Напряжение стока-исток (Vdss)	-	20V	20V
Пороговое напряжение	-	-1V	-
Сопротивление открытого канала-макс	-	-	0.25Ohm
Минимальная напряжённость разрушения	-	-	20V

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DMN2300UFB-7B	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	3-UFDFN	MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN	Для сравнения
DMP2104LP-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	3-XDFN	MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-DFN	Для сравнения
DMN2250UFB-7B	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	3-UFDFN	MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN	Для сравнения