Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMN1150UFB-7B Альтернативные части: DMN2250UFB-7B
DMN1150UFB-7BDiodes Incorporated
В наличии: 23637
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
34.540220 ₽
34.48 ₽
10
32.585151 ₽
325.82 ₽
100
30.740701 ₽
3,074.04 ₽
500
29.000646 ₽
14,500.27 ₽
1000
27.359121 ₽
27,359.07 ₽
Цена за единицу: 34.540220 ₽
Итоговая цена: 34.48 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN | MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN |
Срок поставки от производителя | 15 Weeks | 6 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 3-UFDFN | 3-UFDFN |
Количество контактов | 3 | 3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 1.41A Ta | 1.35A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 1.8V 4.5V | 1.8V 4.5V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 500mW Ta | 500mW Ta |
Время отключения | 57 ns | 59.4 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Cut Tape (CT) |
Опубликовано | 2013 | 2013 |
Код JESD-609 | e4 | e4 |
Состояние изделия | Active | Discontinued |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
Положение терминала | BOTTOM | BOTTOM |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | 30 |
Каналов количество | 1 | 1 |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Сокетная связка | DRAIN | DRAIN |
Время задержки включения | 4.1 ns | 4.3 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 150m Ω @ 1A, 4.5V | 170m Ω @ 1A, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1V @ 250μA | 1V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 106pF @ 10V | 94pF @ 16V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 1.5nC @ 4.5V | 3.1nC @ 10V |
Время подъема | 34.5ns | 6.1ns |
Угол настройки (макс.) | ±6V | ±8V |
Время падения (тип) | 30 ns | 25.4 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 1.41A | 1.35A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 6V | 8V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 12V | - |
Высота | 480μm | 480μm |
Длина | 1.08mm | 1.08mm |
Ширина | 675μm | 675μm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | - |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | 20V |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 0.25Ohm |
Минимальная напряжённость разрушения | - | 20V |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN2300UFB-7B | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 3-UFDFN | MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN | Для сравнения |
 | DMP2104LP-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 3-XDFN | MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-DFN | Для сравнения |
| DMN2250UFB-7B | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 3-UFDFN | MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN | Для сравнения |