DMN1150UFB-7B Альтернативные части: DMN2300UFB-7B ,DMP2104LP-7

DMN1150UFB-7BDiodes Incorporated

В наличии: 23637

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
34.540220 ₽
34.48 ₽
10
32.585151 ₽
325.82 ₽
100
30.740701 ₽
3,074.04 ₽
500
29.000646 ₽
14,500.27 ₽
1000
27.359121 ₽
27,359.07 ₽

Цена за единицу: 34.540220 ₽

Итоговая цена: 34.48 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMN1150UFB-7B	иDMN2300UFB-7B	иDMP2104LP-7
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN	MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN	MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-DFN
Срок поставки от производителя	15 Weeks	17 Weeks	16 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	3-UFDFN	3-UFDFN	3-XDFN
Количество контактов	3	3	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	1.41A Ta	1.32A Ta	1.5A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	1.8V 4.5V	1.8V 4.5V	1.8V 4.5V
Количество элементов	1	1	1
Максимальная мощность рассеяния	500mW Ta	468mW Ta	500mW Ta
Время отключения	57 ns	21.71 ns	-
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2013	2015	2007
Код JESD-609	e4	e4	e4
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	-
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD	HIGH RELIABILITY
Положение терминала	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	30	40	40
Каналов количество	1	1	1
Конфигурация элемента	Single	-	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка	DRAIN	DRAIN	DRAIN
Время задержки включения	4.1 ns	4.92 ns	-
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel	P-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	150m Ω @ 1A, 4.5V	175m Ω @ 300mA, 4.5V	150m Ω @ 950mA, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id	1V @ 250μA	950mV @ 250μA	1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	106pF @ 10V	67.62pF @ 20V	320pF @ 16V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	1.5nC @ 4.5V	0.89nC @ 4.5V	-
Время подъема	34.5ns	6.93ns	-
Угол настройки (макс.)	±6V	±8V	±12V
Время падения (тип)	30 ns	10.62 ns	-
Непрерывный ток стока (ID)	1.41A	1.78A	1.5A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	6V	8V	12V
Напряжение пробоя стока к истоку	12V	20V	-20V
Высота	480μm	-	480μm
Длина	1.08mm	-	1.4mm
Ширина	675μm	-	1.1mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	-	Lead Free
Безоловая кодировка	-	yes	yes
Число контактов	-	3	3
Конфигурация	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-
Покрытие контактов	-	-	Gold
Сопротивление	-	-	240mOhm
Распад мощности	-	-	500mW
Напряжение стока-исток (Vdss)	-	-	20V
Пороговое напряжение	-	-	-1V

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DMN2300UFB-7B	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	3-UFDFN	MOSFET N-CH 20V 1.32A 3DFN	Для сравнения
DMP2104LP-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	3-XDFN	MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-DFN	Для сравнения
DMN2250UFB-7B	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	3-UFDFN	MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN	Для сравнения