Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMHC3025LSD-13 Альтернативные части: ZXMC3F31DN8TA ,IRF7316GTRPBF
DMHC3025LSD-13Diodes Incorporated
В наличии: 89581
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
17.917308 ₽
17.86 ₽
10
16.903118 ₽
169.09 ₽
100
15.946346 ₽
1,594.64 ₽
500
15.043723 ₽
7,521.84 ₽
1000
14.192184 ₽
14,192.17 ₽
Цена за единицу: 17.917308 ₽
Итоговая цена: 17.86 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO | Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SO T/R | MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC |
Срок поставки от производителя | 18 Weeks | 17 Weeks | - |
Покрытие контактов | Tin | - | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 73.992255mg | - | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 6A 4.2A | 6.8A 4.9A | 4.9A |
Количество элементов | 4 | 2 | - |
Время отключения | 28.2 ns | 30 ns | 34 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2013 | 2008 | 2009 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | - |
Безоловая кодировка | yes | yes | - |
Состояние изделия | Active | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | - |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | - | - |
Максимальная потеря мощности | 1.5W | 1.8W | 2W |
Положение терминала | DUAL | DUAL | - |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 | - |
Основной номер части | DMHC3025LSD | - | IRF7316GPBF |
Нормативная Марка | AEC-Q101 | - | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - |
Распад мощности | 1.5W | 2.1W | 2W |
Время задержки включения | 7.5 ns | 1.9 ns | 13 ns |
Тип ТРВ | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) | N and P-Channel | 2 P-Channel (Dual) |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | - |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 25m Ω @ 5A, 10V | 24m Ω @ 7A, 10V | 58mOhm @ 4.9A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2V @ 250μA | 3V @ 250μA | 1V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 590pF @ 15V | 608pF @ 15V | 710pF @ 25V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 11.7nC @ 10V | 12.9nC @ 10V | 34nC @ 10V |
Время подъема | 4.9ns | 3ns | 20ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | 30V | 30V |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | - |
Время падения (тип) | 13.5 ns | 21 ns | 48 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 4.2A | 4.9A | 4.9A |
Пороговое напряжение | 2V | - | - |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 6A | 5.7A | - |
Сопротивление открытого канала-макс | 0.025Ohm | - | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | -30V | -30V | -30V |
Максимальный импульсный ток вывода | 60A | - | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
Максимальная температура перехода (Тj) | 150°C | - | - |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | Logic Level Gate, 4.5V Drive | Logic Level Gate |
Высота | 1.7mm | - | 1.4986mm |
Длина | 4.95mm | - | 4.9784mm |
Ширина | 3.95mm | - | 3.9878mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | - | - |
Конечная обработка контакта | - | Matte Tin (Sn) | - |
Число контактов | - | 8 | - |
Корпусировка на излучение | - | No | No |
Поставщик упаковки устройства | - | - | 8-SO |
Серия | - | - | HEXFET® |
Максимальная рабочая температура | - | - | 150°C |
Минимальная температура работы | - | - | -55°C |
Конфигурация элемента | - | - | Dual |
Мощность - Макс | - | - | 2W |
Входной ёмкости | - | - | 710pF |
Сопротивление стока к истоку | - | - | 58mOhm |
Rds на макс. | - | - | 58 mΩ |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMC3025LSD-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO | Для сравнения |
 | IRF7379TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC | Для сравнения |
| ZXMC3F31DN8TA | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SO T/R | Для сравнения |
| IRF7316GTRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC | Для сравнения |