DMHC3025LSD-13 Альтернативные части: DMC3025LSD-13

DMHC3025LSD-13Diodes Incorporated

В наличии: 89581

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
17.917308 ₽
17.86 ₽
10
16.903118 ₽
169.09 ₽
100
15.946346 ₽
1,594.64 ₽
500
15.043723 ₽
7,521.84 ₽
1000
14.192184 ₽
14,192.17 ₽

Цена за единицу: 17.917308 ₽

Итоговая цена: 17.86 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMHC3025LSD-13	иDMC3025LSD-13
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO	MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO
Срок поставки от производителя	18 Weeks	17 Weeks
Покрытие контактов	Tin	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Вес	73.992255mg	73.992255mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	6A 4.2A	6.5A 4.2A
Количество элементов	4	2
Время отключения	28.2 ns	28.4 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Cut Tape (CT)	Cut Tape (CT)
Опубликовано	2013	2012
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	-
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Код ECCN	EAR99	EAR99
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности	1.5W	1.2W
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	30
Основной номер части	DMHC3025LSD	DMC3025
Нормативная Марка	AEC-Q101	AEC-Q101
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	1.5W	-
Время задержки включения	7.5 ns	6.8 ns
Тип ТРВ	2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)	N and P-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	25m Ω @ 5A, 10V	20m Ω @ 7.4A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2V @ 250μA	2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	590pF @ 15V	501pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	11.7nC @ 10V	9.8nC @ 10V
Время подъема	4.9ns	4.9ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	30V	30V
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Время падения (тип)	13.5 ns	12.4 ns
Непрерывный ток стока (ID)	4.2A	4.2A
Пороговое напряжение	2V	-
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Максимальный сливовой ток (ID)	6A	5.3A
Сопротивление открытого канала-макс	0.025Ohm	-
Напряжение пробоя стока к истоку	-30V	-30V
Максимальный импульсный ток вывода	60A	-
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная температура перехода (Тj)	150°C	-
Характеристика ТРП	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Высота	1.7mm	1.5mm
Длина	4.95mm	4.95mm
Ширина	3.95mm	3.95mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Конечная обработка контакта	-	Matte Tin (Sn)
Каналов количество	-	2

Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DMC3025LSD-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO	Для сравнения
IRF7379TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC	Для сравнения
ZXMC3F31DN8TA	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SO T/R	Для сравнения
IRF7316GTRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC	Для сравнения