Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMC3021LSD-13 Альтернативные части: FDS8882 ,IRF8313TRPBF
DMC3021LSD-13Diodes Incorporated
В наличии: 15135
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
31.507143 ₽
31.46 ₽
10
29.723723 ₽
297.25 ₽
100
28.041250 ₽
2,804.12 ₽
500
26.454011 ₽
13,227.06 ₽
1000
24.956607 ₽
24,956.59 ₽
Цена за единицу: 31.507143 ₽
Итоговая цена: 31.46 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC | MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC |
Срок поставки от производителя | 16 Weeks | 18 Weeks | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 73.992255mg | 130mg | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 8.5A 7A | 9A Ta | - |
Количество элементов | 2 | 1 | 2 |
Время отключения | 50.1 ns | 19 ns | 8.5 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~175°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2012 | - | 2008 |
Код JESD-609 | e3 | e4 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | - |
Состояние изделия | Active | Active | Not For New Designs |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Matte Tin (Sn) |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | ULTRA LOW RESISTANCE | - |
Максимальная потеря мощности | 2.5W | - | 2W |
Положение терминала | DUAL | DUAL | - |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | - | - |
Основной номер части | DMC3021 | - | IRF8313PBF |
Число контактов | 8 | - | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2.5W | 2.5W | 2W |
Тип ТРВ | N and P-Channel | N-Channel | 2 N-Channel (Dual) |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 21m Ω @ 7A, 10V | 20m Ω @ 9A, 10V | 15.5m Ω @ 9.7A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.1V @ 250μA | 3V @ 250μA | 2.35V @ 25μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 767pF @ 10V | 940pF @ 15V | 760pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 16.1nC @ 10V | 20nC @ 10V | 9nC @ 4.5V |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | - | 30V |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | - | - |
Непрерывный ток стока (ID) | 8.5A | 9A | 9.7A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Минимальная напряжённость разрушения | 30V | - | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
Высота | 1.5mm | - | 1.4986mm |
Длина | 4.95mm | - | 4.9784mm |
Ширина | 3.95mm | - | 3.9878mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Состояние жизненного цикла | - | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) | - |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | 4.5V 10V | - |
Максимальная мощность рассеяния | - | 2.5W Ta | - |
Серия | - | PowerTrench® | HEXFET® |
Сопротивление | - | 20MOhm | 15.5MOhm |
Конфигурация элемента | - | Single | Dual |
Время задержки включения | - | 7 ns | 8.3 ns |
Время подъема | - | 3ns | 9.9ns |
Угол настройки (макс.) | - | ±20V | - |
Время падения (тип) | - | 4 ns | 4.2 ns |
Пороговое напряжение | - | 1.7V | 1.8V |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | 9A | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | - | 30V | 30V |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | 32 mJ | 46 mJ |
Номинальное Vgs | - | 1.7 V | 1.8 V |
Без свинца | - | Lead Free | Lead Free |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDS8882 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC | Для сравнения |
 | IRF8313TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF7416TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF9333TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC | Для сравнения |