DMC3021LSD-13 Альтернативные части: IRF8313TRPBF

DMC3021LSD-13Diodes Incorporated

  • DMC3021LSD-13Diodes Incorporated
  • IRF8313TRPBFInfineon Technologies

В наличии: 15135

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    31.507143 ₽

    31.46 ₽

  • 10

    29.723723 ₽

    297.25 ₽

  • 100

    28.041250 ₽

    2,804.12 ₽

  • 500

    26.454011 ₽

    13,227.06 ₽

  • 1000

    24.956607 ₽

    24,956.59 ₽

Цена за единицу: 31.507143 ₽

Итоговая цена: 31.46 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC
Срок поставки от производителя
16 Weeks
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов
8
8
Вес
73.992255mg
-
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C
8.5A 7A
-
Количество элементов
2
2
Время отключения
50.1 ns
8.5 ns
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~175°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2012
2008
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
-
Состояние изделия
Active
Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
8
8
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика
HIGH RELIABILITY
-
Максимальная потеря мощности
2.5W
2W
Положение терминала
DUAL
-
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
-
Основной номер части
DMC3021
IRF8313PBF
Число контактов
8
-
Режим работы
ENHANCEMENT MODE
ENHANCEMENT MODE
Распад мощности
2.5W
2W
Тип ТРВ
N and P-Channel
2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs
21m Ω @ 7A, 10V
15.5m Ω @ 9.7A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id
2.1V @ 250μA
2.35V @ 25μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
767pF @ 10V
760pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs
16.1nC @ 10V
9nC @ 4.5V
Напряжение стока-исток (Vdss)
30V
30V
Полярность/Тип канала
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
-
Непрерывный ток стока (ID)
8.5A
9.7A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
20V
20V
Минимальная напряжённость разрушения
30V
-
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Высота
1.5mm
1.4986mm
Длина
4.95mm
4.9784mm
Ширина
3.95mm
3.9878mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Серия
-
HEXFET®
Сопротивление
-
15.5MOhm
Конфигурация элемента
-
Dual
Время задержки включения
-
8.3 ns
Время подъема
-
9.9ns
Время падения (тип)
-
4.2 ns
Пороговое напряжение
-
1.8V
Напряжение пробоя стока к истоку
-
30V
Рейтинг энергии лавины (Eas)
-
46 mJ
Номинальное Vgs
-
1.8 V
Без свинца
-
Lead Free