Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMC3016LSD-13 Альтернативные части: DMN4800LSSL-13 ,FDS8978
DMC3016LSD-13Diodes Incorporated
В наличии: 12395
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
21.975824 ₽
21.98 ₽
10
20.731909 ₽
207.28 ₽
100
19.558407 ₽
1,955.91 ₽
500
18.451332 ₽
9,225.69 ₽
1000
17.406909 ₽
17,406.87 ₽
Цена за единицу: 21.975824 ₽
Итоговая цена: 21.98 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET 30V N & P Comp FET Enh 2.3Vgs 25nC 22nC | MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO | Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R |
Срок поставки от производителя | 23 Weeks | 15 Weeks | 10 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 73.992255mg | 73.992255mg | 187mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 8.2A 6.2A | 8A Ta | - |
Количество элементов | 2 | 1 | 2 |
Время отключения | 60.5 ns | 26.33 ns | 48 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2015 | 2012 | 2001 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | - |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | - |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | - |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY | - |
Максимальная потеря мощности | 1.2W | - | 1.6W |
Положение терминала | DUAL | DUAL | - |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | 40 | - |
Нормативная Марка | AEC-Q101 | - | - |
Каналов количество | 2 | 1 | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - |
Время задержки включения | 9.7 ns | 5.03 ns | 7 ns |
Тип ТРВ | N and P-Channel | N-Channel | 2 N-Channel (Dual) |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | - |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 16m Ω @ 12A, 10V | 14m Ω @ 8A, 10V | 18m Ω @ 7.5A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.3V @ 250μA | 1.6V @ 250μA | 2.5V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1415pF @ 15V | 798pF @ 10V | 1270pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 25.1nC @ 10V | 8.7nC @ 5V | 26nC @ 10V |
Время подъема | 17.1ns | 4.5ns | 37ns |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | - | - |
Время падения (тип) | 40.4 ns | 8.55 ns | 37 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 6.2A | 8A | 7.5A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Сопротивление открытого канала-макс | 0.016Ohm | - | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V | 30V |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | 4.5V 10V | - |
Максимальная мощность рассеяния | - | 1.46W Ta | - |
Безоловая кодировка | - | yes | - |
Число контактов | - | 8 | - |
Конфигурация элемента | - | Single | Dual |
Угол настройки (макс.) | - | ±20V | - |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | 6.7A | - |
Максимальный импульсный ток вывода | - | 50A | - |
Высота | - | 1.5mm | 1.5mm |
Длина | - | 4.95mm | 5mm |
Ширина | - | 3.95mm | 4mm |
REACH SVHC | - | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | - | No | - |
Состояние жизненного цикла | - | - | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) |
Покрытие контактов | - | - | Tin |
Серия | - | - | PowerTrench® |
Сопротивление | - | - | 18MOhm |
Распад мощности | - | - | 1.6W |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | - | 30V |
Пороговое напряжение | - | - | 2.5V |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN4800LSSL-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO | Для сравнения |
 | FDS8978 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R | Для сравнения |
 | NTMS4872NR2G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC | Для сравнения |
| DMG4435SSS-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | P-Channel 30 V 20 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOP-8 | Для сравнения |