DMC3016LSD-13 Альтернативные части: DMG4435SSS-13

DMC3016LSD-13Diodes Incorporated

В наличии: 12395

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
21.975824 ₽
21.98 ₽
10
20.731909 ₽
207.28 ₽
100
19.558407 ₽
1,955.91 ₽
500
18.451332 ₽
9,225.69 ₽
1000
17.406909 ₽
17,406.87 ₽

Цена за единицу: 21.975824 ₽

Итоговая цена: 21.98 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMC3016LSD-13	иDMG4435SSS-13
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	MOSFET 30V N & P Comp FET Enh 2.3Vgs 25nC 22nC	P-Channel 30 V 20 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOP-8
Срок поставки от производителя	23 Weeks	16 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Вес	73.992255mg	73.992255mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	8.2A 6.2A	7.3A Ta
Количество элементов	2	1
Время отключения	60.5 ns	44.9 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Digi-Reel®
Опубликовано	2015	2012
Код JESD-609	e3	e3
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	-
Максимальная потеря мощности	1.2W	-
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	30	40
Нормативная Марка	AEC-Q101	-
Каналов количество	2	1
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Время задержки включения	9.7 ns	8.6 ns
Тип ТРВ	N and P-Channel	P-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	16m Ω @ 12A, 10V	16m Ω @ 11A, 20V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.3V @ 250μA	2.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	1415pF @ 15V	1614pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	25.1nC @ 10V	35.4nC @ 10V
Время подъема	17.1ns	12.7ns
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	-
Время падения (тип)	40.4 ns	22.8 ns
Непрерывный ток стока (ID)	6.2A	7.3A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	25V
Сопротивление открытого канала-макс	0.016Ohm	-
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	-
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-
Характеристика ТРП	Logic Level Gate	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	-	5V 20V
Максимальная мощность рассеяния	-	2.5W Ta
Безоловая кодировка	-	yes
Сопротивление	-	20mOhm
Число контактов	-	8
Конфигурация элемента	-	Single
Распад мощности	-	2.5W
Напряжение стока-исток (Vdss)	-	30V
Угол настройки (макс.)	-	±25V
Пороговое напряжение	-	-1.7V
Минимальная напряжённость разрушения	-	30V
Высота	-	1.5mm
Длина	-	4.95mm
Ширина	-	3.95mm
REACH SVHC	-	No SVHC
Корпусировка на излучение	-	No

Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DMN4800LSSL-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO	Для сравнения
FDS8978	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R	Для сравнения
NTMS4872NR2G	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC	Для сравнения
DMG4435SSS-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	P-Channel 30 V 20 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOP-8	Для сравнения