DMC1229UFDB-13 Альтернативные части: SIA910EDJ-T1-GE3

DMC1229UFDB-13Diodes Incorporated

В наличии: 19970

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
70.999341 ₽
71.02 ₽
10
66.980495 ₽
669.78 ₽
100
63.189121 ₽
6,318.96 ₽
500
59.612390 ₽
29,806.18 ₽
1000
56.238104 ₽
56,238.05 ₽

Цена за единицу: 70.999341 ₽

Итоговая цена: 71.02 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMC1229UFDB-13	иSIA910EDJ-T1-GE3
Производитель:	Diodes Incorporated	Vishay Siliconix
Описание:	MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6	Dual N-Channel 12 V 28 mOhm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SC-70-6L
Срок поставки от производителя	15 Weeks	14 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	6-UDFN Exposed Pad	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Количество контактов	6	6
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	5.6A 3.8A	-
Количество элементов	2	2
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2014	2015
Код JESD-609	e4	e3
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	6	6
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	MATTE TIN
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	-
Максимальная потеря мощности	1.4W	7.8W
Положение терминала	DUAL	-
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	30	40
Нормативная Марка	AEC-Q101	-
Конфигурация	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка	DRAIN	DRAIN
Тип ТРВ	N and P-Channel	2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	29m Ω @ 5A, 4.5V	28m Ω @ 5.2A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id	1V @ 250μA	1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	914pF @ 6V	455pF @ 6V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	19.6nC @ 8V	16nC @ 8V
Напряжение стока-исток (Vdss)	12V	12V
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	-
Непрерывный ток стока (ID)	3.8A	4.5A
Сопротивление открытого канала-макс	0.029Ohm	-
Минимальная напряжённость разрушения	12V	-
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Вес	-	28.009329mg
Время отключения	-	25 ns
Серия	-	TrenchFET®
Безоловая кодировка	-	yes
Сопротивление	-	28MOhm
Основной номер части	-	SIA910E
Число контактов	-	6
Каналов количество	-	2
Конфигурация элемента	-	Dual
Распад мощности	-	1.9W
Время задержки включения	-	10 ns
Время подъема	-	12ns
Время падения (тип)	-	12 ns
Пороговое напряжение	-	400mV
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	-	8V
Напряжение пробоя стока к истоку	-	12V
Номинальное Vgs	-	400 mV
REACH SVHC	-	Unknown
Без свинца	-	Lead Free

Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
SIA527DJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	PowerPAK® SC-70-6 Dual	MOSFET 12V 29mOhm@4.5V 4.5A N-CH	Для сравнения
SIA910EDJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	PowerPAK® SC-70-6 Dual	Dual N-Channel 12 V 28 mOhm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SC-70-6L	Для сравнения
SIA517DJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	PowerPAK® SC-70-6 Dual	MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6	Для сравнения
DMN1032UCB4-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	4-UFBGA, WLBGA	MOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W	Для сравнения