Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMC1229UFDB-13 Альтернативные части: SIA527DJ-T1-GE3
DMC1229UFDB-13Diodes Incorporated
В наличии: 19970
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
70.999341 ₽
71.02 ₽
10
66.980495 ₽
669.78 ₽
100
63.189121 ₽
6,318.96 ₽
500
59.612390 ₽
29,806.18 ₽
1000
56.238104 ₽
56,238.05 ₽
Цена за единицу: 70.999341 ₽
Итоговая цена: 71.02 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6 | MOSFET 12V 29mOhm@4.5V 4.5A N-CH |
Срок поставки от производителя | 15 Weeks | 14 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-UDFN Exposed Pad | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Количество контактов | 6 | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 5.6A 3.8A | - |
Количество элементов | 2 | - |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2014 | 2016 |
Код JESD-609 | e4 | - |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | - |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | - |
Максимальная потеря мощности | 1.4W | 7.8W |
Положение терминала | DUAL | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | NOT SPECIFIED |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | NOT SPECIFIED |
Нормативная Марка | AEC-Q101 | - |
Конфигурация | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | - |
Сокетная связка | DRAIN | - |
Тип ТРВ | N and P-Channel | N and P-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | - |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 29m Ω @ 5A, 4.5V | 29m Ω @ 5A, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1V @ 250μA | 1V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 914pF @ 6V | 500pF @ 6V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 19.6nC @ 8V | 15nC @ 8V |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 12V | 12V |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | - |
Непрерывный ток стока (ID) | 3.8A | 4.5A |
Сопротивление открытого канала-макс | 0.029Ohm | - |
Минимальная напряжённость разрушения | 12V | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
Корпусировка на излучение | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Время отключения | - | 22 ns |
Серия | - | TrenchFET® |
Сопротивление | - | 710μOhm |
Код соответствия REACH | - | unknown |
Каналов количество | - | 2 |
Конфигурация элемента | - | Dual |
Время задержки включения | - | 10 ns |
Время подъема | - | 10ns |
Время падения (тип) | - | 10 ns |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | - | 8V |
Напряжение пробоя стока к истоку | - | 12V |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIA527DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | PowerPAK® SC-70-6 Dual | MOSFET 12V 29mOhm@4.5V 4.5A N-CH | Для сравнения |
| SIA910EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | PowerPAK® SC-70-6 Dual | Dual N-Channel 12 V 28 mOhm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SC-70-6L | Для сравнения |
| SIA517DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | PowerPAK® SC-70-6 Dual | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6 | Для сравнения |
 | DMN1032UCB4-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 4-UFBGA, WLBGA | MOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W | Для сравнения |