Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMB2227A-7 Альтернативные части: RN1602(TE85L,F) ,MMDT2227M-7
DMB2227A-7Diodes Incorporated
В наличии: 2996
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
52.769780 ₽
52.75 ₽
10
49.782816 ₽
497.80 ₽
100
46.964918 ₽
4,696.43 ₽
500
44.306566 ₽
22,153.30 ₽
1000
41.798654 ₽
41,798.63 ₽
Цена за единицу: 52.769780 ₽
Итоговая цена: 52.75 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Bipolar Transistors - BJT 300mW +/-600mA | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SM T/R | TRANS NPN/PNP 40V/60V 0.6A SOT26 |
Срок поставки от производителя | 16 Weeks | 11 Weeks | 15 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-23-6 | SC-74, SOT-457 | SOT-23-6 |
Количество контактов | 6 | 6 | 6 |
Вес | 29.993795mg | - | 29.993795mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | - | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 60V | 50V | 60V |
Количество элементов | 2 | 2 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 35 | 50 | 35 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | - | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2005 | 2010 | 2007 |
Код JESD-609 | e3 | - | e3 |
Безоловая кодировка | yes | - | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | - | 6 |
Код ECCN | EAR99 | - | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | - | Matte Tin (Sn) |
Максимальная потеря мощности | 300mW | 300mW | 300mW |
Форма вывода | GULL WING | - | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - | 260 |
Частота | 300MHz | - | 300MHz |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | - | 40 |
Число контактов | 6 | - | 6 |
Направленность | NPN, PNP | NPN | NPN, PNP |
Конфигурация элемента | Dual | Dual | Dual |
Распад мощности | 300mW | - | 300mW |
Применение транзистора | SWITCHING | - | SWITCHING |
Продуктивность полосы частот | 300MHz | - | 300MHz |
Тип транзистора | NPN, PNP | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | NPN, PNP |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 1V | 50V | 1V |
Максимальный ток сбора | 600mA | 100mA | 600mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 100 @ 150mA 10V | 50 @ 10mA 5V | 100 @ 150mA 10V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 10nA ICBO | 100nA ICBO | 10nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA | 300mV @ 250μA, 5mA | 1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | 40V 60V | - | 40V 60V |
Частота перехода | 300MHz | - | 300MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 60V | 50V | 60V |
Частота - Переход | 300MHz 200MHz | 250MHz | 300MHz 200MHz |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 75V | - | 75V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | 10V | 6V |
Высота | 1.1mm | - | 1.1mm |
Длина | 3mm | - | 3mm |
Ширина | 1.6mm | - | 1.6mm |
REACH SVHC | No SVHC | - | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C | - |
Минимальная температура работы | - | -55°C | - |
База (R1) | - | 10k Ω | - |
Прямоходящий ток коллектора | - | 100mA | - |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | - | 10k Ω | - |
Моментальный ток | - | - | 600mA |
Основной номер части | - | - | MMDT2227M |
Без свинца | - | - | Lead Free |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | MMDT2227M-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SOT-23-6 | TRANS NPN/PNP 40V/60V 0.6A SOT26 | Для сравнения |
| DMMT2907A-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SOT-23-6 | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 6-Pin SOT-26 T/R | Для сравнения |
| IMT17-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | SOT-23-6 | Bipolar Transistors - BJT 300mW -50Vceo | Для сравнения |
 | RN1602(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SC-74, SOT-457 | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SM T/R | Для сравнения |