DMB2227A-7 Альтернативные части: MMDT2227M-7

DMB2227A-7Diodes Incorporated

В наличии: 2996

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
52.769780 ₽
52.75 ₽
10
49.782816 ₽
497.80 ₽
100
46.964918 ₽
4,696.43 ₽
500
44.306566 ₽
22,153.30 ₽
1000
41.798654 ₽
41,798.63 ₽

Цена за единицу: 52.769780 ₽

Итоговая цена: 52.75 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMB2227A-7	иMMDT2227M-7
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	Bipolar Transistors - BJT 300mW +/-600mA	TRANS NPN/PNP 40V/60V 0.6A SOT26
Срок поставки от производителя	16 Weeks	15 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SOT-23-6	SOT-23-6
Количество контактов	6	6
Вес	29.993795mg	29.993795mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	60V	60V
Количество элементов	2	2
Минимальная частота работы в герцах	35	35
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2005	2007
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	6	6
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Максимальная потеря мощности	300mW	300mW
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Частота	300MHz	300MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40
Число контактов	6	6
Направленность	NPN, PNP	NPN, PNP
Конфигурация элемента	Dual	Dual
Распад мощности	300mW	300mW
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	300MHz	300MHz
Тип транзистора	NPN, PNP	NPN, PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	1V	1V
Максимальный ток сбора	600mA	600mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	100 @ 150mA 10V	100 @ 150mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)	10nA ICBO	10nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA	1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)	40V 60V	40V 60V
Частота перехода	300MHz	300MHz
Максимальное напряжение разрушения	60V	60V
Частота - Переход	300MHz 200MHz	300MHz 200MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	75V	75V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	6V
Высота	1.1mm	1.1mm
Длина	3mm	3mm
Ширина	1.6mm	1.6mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Моментальный ток	-	600mA
Основной номер части	-	MMDT2227M
Без свинца	-	Lead Free

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
MMDT2227M-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-6	TRANS NPN/PNP 40V/60V 0.6A SOT26	Для сравнения
DMMT2907A-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-6	Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 6-Pin SOT-26 T/R	Для сравнения
IMT17-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-6	Bipolar Transistors - BJT 300mW -50Vceo	Для сравнения
RN1602(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SC-74, SOT-457	Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SM T/R	Для сравнения