DJT4030P-13 Альтернативные части: NJT4030PT1G

DJT4030P-13Diodes Incorporated

В наличии: 13

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
9.244231 ₽
9.20 ₽
10
8.720975 ₽
87.23 ₽
100
8.227335 ₽
822.80 ₽
500
7.761635 ₽
3,880.77 ₽
1000
7.322294 ₽
7,322.25 ₽

Цена за единицу: 9.244231 ₽

Итоговая цена: 9.20 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDJT4030P-13	иNJT4030PT1G
Производитель:	Diodes Incorporated	ON Semiconductor
Описание:	DIODES INC. DJT4030P-13 Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 40 V, 150 MHz, 1.2 W, 500 mA, 220 hFE	Trans GP BJT PNP 40V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Срок поставки от производителя	14 Weeks	4 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-261-4, TO-261AA	TO-261-4, TO-261AA
Количество контактов	3	4
Вес	7.994566mg	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	40V	40V
Количество элементов	1	1
Минимальная частота работы в герцах	220	200
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2009	2007
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	4	4
Завершение	SMD/SMT	-
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	-
Максимальная потеря мощности	1.2W	2W
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Частота	150MHz	160MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40
Число контактов	4	4
Код JESD-30	R-PDSO-G4	-
Конфигурация элемента	Single	Single
Распад мощности	1.2W	2W
Сокетная связка	COLLECTOR	COLLECTOR
Применение транзистора	SWITCHING	AMPLIFIER
Продуктивность полосы частот	150MHz	160MHz
Полярность/Тип канала	PNP	PNP
Тип транзистора	PNP	PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	40V	40V
Максимальный ток сбора	3A	3A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	200 @ 1A 1V	200 @ 1A 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	500mV @ 300mA, 3A	500mV @ 300mA, 3A
Частота перехода	150MHz	160MHz
Максимальное напряжение разрушения	40V	40V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	40V	40V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	-6V	6V
Прямоходящий ток коллектора	-3A	-
Высота	1.6mm	1.651mm
Длина	6.5mm	6.6802mm
Ширина	3.5mm	3.7084mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Состояние жизненного цикла	-	ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Покрытие контактов	-	Tin
Основной номер части	-	NJT4030

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DPLS350E-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-261-4, TO-261AA	Trans GP BJT PNP 50V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R	Для сравнения
NJT4030PT1G	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-261-4, TO-261AA	Trans GP BJT PNP 40V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R	Для сравнения
NJT4030PT3G	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-261-4, TO-261AA	ON Semi NJT4030PT3G PNP Bipolar Transistor; 3 A; 40 V SOT-223	Для сравнения
DMJT9435-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-261-4, TO-261AA	TRANS PNP 30V 3A SOT-223	Для сравнения