DJT4030P-13Diodes Incorporated
В наличии: 13
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
9.244231 ₽
9.20 ₽
10
8.720975 ₽
87.23 ₽
100
8.227335 ₽
822.80 ₽
500
7.761635 ₽
3,880.77 ₽
1000
7.322294 ₽
7,322.25 ₽
Цена за единицу: 9.244231 ₽
Итоговая цена: 9.20 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | DIODES INC. DJT4030P-13 Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 40 V, 150 MHz, 1.2 W, 500 mA, 220 hFE | TRANS PNP 30V 3A SOT-223 |
Срок поставки от производителя | 14 Weeks | 24 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 7.994566mg | 7.994566mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 40V | 30V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 220 | - |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2009 | 2001 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 4 | 4 |
Завершение | SMD/SMT | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Максимальная потеря мощности | 1.2W | 1.2W |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Частота | 150MHz | 160MHz |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 |
Число контактов | 4 | 4 |
Код JESD-30 | R-PDSO-G4 | R-PDSO-G4 |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 1.2W | 2W |
Сокетная связка | COLLECTOR | COLLECTOR |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Продуктивность полосы частот | 150MHz | 160MHz |
Полярность/Тип канала | PNP | PNP |
Тип транзистора | PNP | PNP |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 40V | 30V |
Максимальный ток сбора | 3A | 3A |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 200 @ 1A 1V | 125 @ 800mA 1V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | - |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 500mV @ 300mA, 3A | 550mV @ 300mA, 3A |
Частота перехода | 150MHz | 160MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 40V | 30V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 40V | 45V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | -6V | 6V |
Прямоходящий ток коллектора | -3A | - |
Высота | 1.6mm | 1.6mm |
Длина | 6.5mm | 6.5mm |
Ширина | 3.5mm | 3.5mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Мощность - Макс | - | 1.2W |