DDTC114EE-7-F Альтернативные части: FJY3002R ,DDTC143XE-7-F

DDTC114EE-7-FDiodes Incorporated

  • DDTC114EE-7-FDiodes Incorporated
  • FJY3002RON Semiconductor
  • DDTC143XE-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 3232

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    9.297074 ₽

    9.34 ₽

  • 500

    6.836085 ₽

    3,417.99 ₽

  • 1000

    5.696731 ₽

    5,696.70 ₽

  • 2000

    5.226319 ₽

    10,452.61 ₽

  • 5000

    4.884464 ₽

    24,422.25 ₽

  • 10000

    4.543668 ₽

    45,436.68 ₽

  • 15000

    4.394286 ₽

    65,914.29 ₽

  • 50000

    4.320783 ₽

    216,039.15 ₽

Цена за единицу: 9.297074 ₽

Итоговая цена: 9.34 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FJY3002R Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE
TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
Срок поставки от производителя
19 Weeks
2 Weeks
19 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SOT-523
SC-89, SOT-490
SOT-523
Количество контактов
3
3
3
Вес
2.012816mg
30mg
2.012816mg
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
50V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
30
30
30
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2006
2013
2007
Код JESD-609
e3
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
Tin (Sn)
Matte Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
-55°C
Дополнительная Характеристика
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
-
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
8541.29.00.95
8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный
50V
40V
50V
Максимальная потеря мощности
150mW
200mW
150mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
FLAT
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
260
Моментальный ток
50mA
100mA
100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
-
40
Число контактов
3
-
3
Квалификационный Статус
Not Qualified
-
Not Qualified
Направленность
NPN
NPN
NPN
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
NPN - Pre-Biased
NPN - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
300mV
50V
300mV
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
30 @ 5mA 5V
30 @ 5mA 5V
30 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
500nA
100nA ICBO
500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
300mV @ 500μA, 10mA
300mV @ 500μA, 10mA
300mV @ 500μA, 10mA
Частота перехода
250MHz
250MHz
250MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
50V
Частота - Переход
250MHz
250MHz
250MHz
База (R1)
10 k Ω
10 k Ω
4.7 k Ω
Прямоходящий ток коллектора
100mA
100mA
100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)
10 k Ω
10 k Ω
10 k Ω
Высота
750μm
780μm
750μm
Длина
1.6mm
1.7mm
1.6mm
Ширина
800μm
980μm
800μm
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Состояние жизненного цикла
-
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
-
Завершение
-
SMD/SMT
-
Основной номер части
-
FJY3002
DTC143
Распад мощности
-
200mW
-
Применение транзистора
-
SWITCHING
-
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-
50V
-
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-
10V
-
REACH SVHC
-
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
-
No
-
Максимальный выходной ток
-
-
100mA
Входной напряжение питания
-
-
50V