DDTC114EE-7-F Альтернативные части: FJY3002R

DDTC114EE-7-FDiodes Incorporated

  • DDTC114EE-7-FDiodes Incorporated
  • FJY3002RON Semiconductor

В наличии: 3232

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    9.297074 ₽

    9.34 ₽

  • 500

    6.836085 ₽

    3,417.99 ₽

  • 1000

    5.696731 ₽

    5,696.70 ₽

  • 2000

    5.226319 ₽

    10,452.61 ₽

  • 5000

    4.884464 ₽

    24,422.25 ₽

  • 10000

    4.543668 ₽

    45,436.68 ₽

  • 15000

    4.394286 ₽

    65,914.29 ₽

  • 50000

    4.320783 ₽

    216,039.15 ₽

Цена за единицу: 9.297074 ₽

Итоговая цена: 9.34 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FJY3002R Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE
Срок поставки от производителя
19 Weeks
2 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SOT-523
SC-89, SOT-490
Количество контактов
3
3
Вес
2.012816mg
30mg
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
30
30
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2006
2013
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
Дополнительная Характеристика
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
8541.29.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный
50V
40V
Максимальная потеря мощности
150mW
200mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
Моментальный ток
50mA
100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
-
Число контактов
3
-
Квалификационный Статус
Not Qualified
-
Направленность
NPN
NPN
Конфигурация элемента
Single
Single
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
NPN - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
300mV
50V
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
30 @ 5mA 5V
30 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
500nA
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
300mV @ 500μA, 10mA
300mV @ 500μA, 10mA
Частота перехода
250MHz
250MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
Частота - Переход
250MHz
250MHz
База (R1)
10 k Ω
10 k Ω
Прямоходящий ток коллектора
100mA
100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)
10 k Ω
10 k Ω
Высота
750μm
780μm
Длина
1.6mm
1.7mm
Ширина
800μm
980μm
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Состояние жизненного цикла
-
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Завершение
-
SMD/SMT
Основной номер части
-
FJY3002
Распад мощности
-
200mW
Применение транзистора
-
SWITCHING
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-
50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-
10V
REACH SVHC
-
No SVHC
Корпусировка на излучение
-
No