DDTC113ZE-7 Альтернативные части: FJY3002R

DDTC113ZE-7Diodes Incorporated

  • DDTC113ZE-7Diodes Incorporated
  • FJY3002RON Semiconductor

В наличии: 7896

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    0.030701 ₽

    0.14 ₽

  • 500

    0.022541 ₽

    11.26 ₽

  • 1000

    0.018805 ₽

    18.82 ₽

  • 2000

    0.017266 ₽

    34.48 ₽

  • 5000

    0.016113 ₽

    80.49 ₽

  • 10000

    0.014973 ₽

    149.73 ₽

  • 15000

    0.014492 ₽

    217.31 ₽

  • 50000

    0.014299 ₽

    714.97 ₽

Цена за единицу: 0.030701 ₽

Итоговая цена: 0.14 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FJY3002R Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SOT-523
SC-89, SOT-490
Количество контактов
3
3
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
33
30
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2007
2013
Код JESD-609
e0
e3
Состояние изделия
Discontinued
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin/Lead (Sn85Pb15)
Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
Дополнительная Характеристика
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
8541.29.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный
50V
40V
Максимальная потеря мощности
150mW
200mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)
235
-
Код соответствия REACH
not_compliant
-
Моментальный ток
100mA
100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
-
Число контактов
3
-
Квалификационный Статус
Not Qualified
-
Направленность
NPN
NPN
Конфигурация элемента
Single
Single
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased + Diode
NPN - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
300mV
50V
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
33 @ 5mA 5V
30 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
500nA
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
300mV @ 500μA, 10mA
300mV @ 500μA, 10mA
Частота перехода
250MHz
250MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
Частота - Переход
250MHz
250MHz
База (R1)
1 k Ω
10 k Ω
Резистор - Эмиттер-База (R2)
10 k Ω
10 k Ω
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Contains Lead
Lead Free
Состояние жизненного цикла
-
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Срок поставки от производителя
-
2 Weeks
Вес
-
30mg
Безоловая кодировка
-
yes
Завершение
-
SMD/SMT
Основной номер части
-
FJY3002
Распад мощности
-
200mW
Применение транзистора
-
SWITCHING
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-
50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-
10V
Прямоходящий ток коллектора
-
100mA
Высота
-
780μm
Длина
-
1.7mm
Ширина
-
980μm
REACH SVHC
-
No SVHC
Корпусировка на излучение
-
No