DDTC113ZE-7 Альтернативные части: DDTC144VE-7-F

DDTC113ZE-7Diodes Incorporated

В наличии: 7896

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
0.030701 ₽
0.14 ₽
500
0.022541 ₽
11.26 ₽
1000
0.018805 ₽
18.82 ₽
2000
0.017266 ₽
34.48 ₽
5000
0.016113 ₽
80.49 ₽
10000
0.014973 ₽
149.73 ₽
15000
0.014492 ₽
217.31 ₽
50000
0.014299 ₽
714.97 ₽

Цена за единицу: 0.030701 ₽

Итоговая цена: 0.14 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDDTC113ZE-7	иDDTC144VE-7-F
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523	Bipolar Transistors - Pre-Biased 150MW 47K
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	-
Корпус / Кейс	SOT-523	SOT-523
Количество контактов	3	3
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V
Количество элементов	1	1
Минимальная частота работы в герцах	33	33
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2007	2007
Код JESD-609	e0	e3
Состояние изделия	Discontinued	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Matte Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура	150°C	150°C
Минимальная температура работы	-55°C	-55°C
Дополнительная Характеристика	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.21
Код ТН ВЭД	8541.21.00.75	8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный	50V	50V
Максимальная потеря мощности	150mW	150mW
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	235	260
Код соответствия REACH	not_compliant	-
Моментальный ток	100mA	100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	10	40
Число контактов	3	3
Квалификационный Статус	Not Qualified	Not Qualified
Направленность	NPN	NPN
Конфигурация элемента	Single	Single
Тип транзистора	NPN - Pre-Biased + Diode	-
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	300mV	300mV
Максимальный ток сбора	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	33 @ 5mA 5V	-
Ток - отсечка коллектора (макс)	500nA	-
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 500μA, 10mA	-
Частота перехода	250MHz	250MHz
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V
Частота - Переход	250MHz	-
База (R1)	1 k Ω	-
Резистор - Эмиттер-База (R2)	10 k Ω	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Contains Lead	Lead Free
Срок поставки от производителя	-	14 Weeks
Вес	-	2.012816mg
Безоловая кодировка	-	yes
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)	-	33
Прямоходящий ток коллектора	-	100mA
Высота	-	750μm
Длина	-	1.6mm
Ширина	-	800μm

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DDTC123YE-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SOT-523	TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523	Для сравнения
DDTC144VE-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SOT-523	TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523	Для сравнения
DDTC144VE-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SOT-523	Bipolar Transistors - Pre-Biased 150MW 47K	Для сравнения
FJY3002R	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SC-89, SOT-490	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FJY3002R Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 30 hFE	Для сравнения