DDTC113TCA-7-F Альтернативные части: DDTC143TCA-7-F ,DDTC114TCA-7-F

DDTC113TCA-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 5871

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
21.107912 ₽
21.15 ₽
10
19.913104 ₽
199.18 ₽
100
18.785948 ₽
1,878.57 ₽
500
17.722582 ₽
8,861.26 ₽
1000
16.719478 ₽
16,719.51 ₽

Цена за единицу: 21.107912 ₽

Итоговая цена: 21.15 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDDTC113TCA-7-F	иDDTC143TCA-7-F	иDDTC114TCA-7-F
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Срок поставки от производителя	19 Weeks	19 Weeks	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3	3
Вес	7.994566mg	7.994566mg	7.994566mg
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V	50V
Количество элементов	1	1	1
Минимальная частота работы в герцах	100	100	100
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2008	-	2013
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура	150°C	150°C	150°C
Минимальная температура работы	-55°C	-55°C	-55°C
Дополнительная Характеристика	BUILT IN BIAS RESISTOR	BUILT IN BIAS RESISTOR	BUILT IN BIAS RESISTOR
Код ТН ВЭД	8541.21.00.75	8541.21.00.75	8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный	50V	50V	50V
Максимальная потеря мощности	200mW	200mW	200mW
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Моментальный ток	100mA	100mA	100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	40
Основной номер части	DDTC113	DTC143	-
Число контактов	3	3	3
Квалификационный Статус	Not Qualified	-	-
Направленность	NPN	NPN	NPN
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Тип транзистора	NPN - Pre-Biased	NPN - Pre-Biased	NPN - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	50V	50V	50V
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	100 @ 1mA 5V	100 @ 1mA 5V	100 @ 1mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	500nA ICBO	500nA ICBO	500nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 1mA, 10mA	300mV @ 250μA, 2.5mA	300mV @ 100μA, 1mA
Частота перехода	250MHz	250MHz	250MHz
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V	50V
Частота - Переход	250MHz	250MHz	250MHz
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	5V	5V
База (R1)	1 k Ω	4.7 k Ω	10 k Ω
Прямоходящий ток коллектора	100mA	100mA	100mA
Высота	1mm	1mm	1mm
Длина	3.05mm	3.05mm	3.05mm
Ширина	1.4mm	1.4mm	1.4mm
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Корпусировка на излучение	-	No	No

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DDTC114TCA-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3	Для сравнения
FJV3113RMTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Transistors Switching - Resistor Biased 50V/100mA/2.2K 47K	Для сравнения
FJV3110RMTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Transistors Switching - Resistor Biased NPN/40V/100mA/10K	Для сравнения
DDTC143TCA-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3	Для сравнения