DDTC113TCA-7-F Альтернативные части: FJV3110RMTF

DDTC113TCA-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 5871

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
21.107912 ₽
21.15 ₽
10
19.913104 ₽
199.18 ₽
100
18.785948 ₽
1,878.57 ₽
500
17.722582 ₽
8,861.26 ₽
1000
16.719478 ₽
16,719.51 ₽

Цена за единицу: 21.107912 ₽

Итоговая цена: 21.15 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDDTC113TCA-7-F	иFJV3110RMTF
Производитель:	Diodes Incorporated	ON Semiconductor
Описание:	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3	Transistors Switching - Resistor Biased NPN/40V/100mA/10K
Срок поставки от производителя	19 Weeks	13 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3
Вес	7.994566mg	30mg
Диэлектрический пробой напряжение	50V	40V
Количество элементов	1	1
Минимальная частота работы в герцах	100	100
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2008	2013
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура	150°C	150°C
Минимальная температура работы	-55°C	-55°C
Дополнительная Характеристика	BUILT IN BIAS RESISTOR	BUILT IN BIAS RESISTOR
Код ТН ВЭД	8541.21.00.75	8541.21.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный	50V	40V
Максимальная потеря мощности	200mW	200mW
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	NOT SPECIFIED
Моментальный ток	100mA	100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	NOT SPECIFIED
Основной номер части	DDTC113	FJV3110
Число контактов	3	-
Квалификационный Статус	Not Qualified	Not Qualified
Направленность	NPN	NPN
Конфигурация элемента	Single	Single
Тип транзистора	NPN - Pre-Biased	NPN - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	50V	40V
Максимальный ток сбора	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	100 @ 1mA 5V	100 @ 1mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	500nA ICBO	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 1mA, 10mA	300mV @ 1mA, 10mA
Частота перехода	250MHz	250MHz
Максимальное напряжение разрушения	50V	40V
Частота - Переход	250MHz	250MHz
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	10V
База (R1)	1 k Ω	10 k Ω
Прямоходящий ток коллектора	100mA	100mA
Высота	1mm	930μm
Длина	3.05mm	2.92mm
Ширина	1.4mm	1.3mm
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Состояние жизненного цикла	-	LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Распад мощности	-	200mW
Применение транзистора	-	SWITCHING
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	-	40V

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DDTC114TCA-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3	Для сравнения
FJV3113RMTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Transistors Switching - Resistor Biased 50V/100mA/2.2K 47K	Для сравнения
FJV3110RMTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Transistors Switching - Resistor Biased NPN/40V/100mA/10K	Для сравнения
DDTC143TCA-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3	Для сравнения