Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DDTA144ECA-7 Альтернативные части: FJV4113RMTF ,DDTA143FCA-7-F
DDTA144ECA-7Diodes Incorporated
В наличии: 1595
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
37.418571 ₽
37.36 ₽
10
35.300591 ₽
353.02 ₽
100
33.302431 ₽
3,330.22 ₽
500
31.417404 ₽
15,708.65 ₽
1000
29.639052 ₽
29,639.01 ₽
Цена за единицу: 37.418571 ₽
Итоговая цена: 37.36 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 | Transistors Switching - Resistor Biased 50/100mA/2.2K 47K | Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 4.7K 22K |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V | 50V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 68 | 68 | 68 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2006 | 2013 | 2008 |
Код JESD-609 | e0 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Discontinued | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin/Lead (Sn85Pb15) | Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1 | - | - |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.75 | 8541.21.00.95 | 8541.21.00.75 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -50V | -50V | - |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 200mW | 200mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 235 | NOT SPECIFIED | 260 |
Код соответствия REACH | not_compliant | - | - |
Моментальный ток | -100mA | -100mA | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 10 | NOT SPECIFIED | 40 |
Число контактов | 3 | - | 3 |
Квалификационный Статус | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
Направленность | PNP | PNP | PNP |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 50V | 300mV |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA | 100mA |
Частота перехода | 250MHz | 200MHz | 250MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V | 50V |
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE) | 68 | - | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Contains Lead | Lead Free | - |
Состояние жизненного цикла | - | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) | - |
Срок поставки от производителя | - | 2 Weeks | 12 Weeks |
Вид крепления | - | Surface Mount | Surface Mount |
Вес | - | 30mg | 7.994566mg |
Безоловая кодировка | - | yes | yes |
Основной номер части | - | FJV4113 | DDTA143 |
Распад мощности | - | 200mW | - |
Применение транзистора | - | SWITCHING | - |
Тип транзистора | - | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | - | 68 @ 5mA 5V | 68 @ 10mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | - | 100nA ICBO | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | - | 300mV @ 500μA, 10mA | 300mV @ 500μA, 10mA |
Частота - Переход | - | 200MHz | 250MHz |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | - | -50V | - |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - | -10V | - |
База (R1) | - | 2.2 k Ω | 4.7 k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | - | -100mA | 100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | - | 47 k Ω | 22 k Ω |
Высота | - | 930μm | 1mm |
Длина | - | 2.92mm | 3.05mm |
Ширина | - | 1.3mm | 1.4mm |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FJV4114RMTF | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Transistors Switching - Resistor Biased 50/100mA/4.7K 47K | Для сравнения |
| FJV4113RMTF | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Transistors Switching - Resistor Biased 50/100mA/2.2K 47K | Для сравнения |
 | DDTA143FCA-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 4.7K 22K | Для сравнения |
 | DDTA114YCA-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SOT-23-3 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 | Для сравнения |