DDTA144ECA-7 Альтернативные части: FJV4113RMTF

DDTA144ECA-7Diodes Incorporated

  • DDTA144ECA-7Diodes Incorporated
  • FJV4113RMTFON Semiconductor

В наличии: 1595

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    37.418571 ₽

    37.36 ₽

  • 10

    35.300591 ₽

    353.02 ₽

  • 100

    33.302431 ₽

    3,330.22 ₽

  • 500

    31.417404 ₽

    15,708.65 ₽

  • 1000

    29.639052 ₽

    29,639.01 ₽

Цена за единицу: 37.418571 ₽

Итоговая цена: 37.36 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Transistors Switching - Resistor Biased 50/100mA/2.2K 47K
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
68
68
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2006
2013
Код JESD-609
e0
e3
Состояние изделия
Discontinued
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin/Lead (Sn85Pb15)
Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
Дополнительная Характеристика
BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
-
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
8541.21.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный
-50V
-50V
Максимальная потеря мощности
200mW
200mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
235
NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH
not_compliant
-
Моментальный ток
-100mA
-100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
NOT SPECIFIED
Число контактов
3
-
Квалификационный Статус
Not Qualified
Not Qualified
Направленность
PNP
PNP
Конфигурация элемента
Single
Single
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
300mV
50V
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
Частота перехода
250MHz
200MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)
68
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Contains Lead
Lead Free
Состояние жизненного цикла
-
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Срок поставки от производителя
-
2 Weeks
Вид крепления
-
Surface Mount
Вес
-
30mg
Безоловая кодировка
-
yes
Основной номер части
-
FJV4113
Распад мощности
-
200mW
Применение транзистора
-
SWITCHING
Тип транзистора
-
PNP - Pre-Biased
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
-
68 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
-
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
-
300mV @ 500μA, 10mA
Частота - Переход
-
200MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-
-50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-
-10V
База (R1)
-
2.2 k Ω
Прямоходящий ток коллектора
-
-100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)
-
47 k Ω
Высота
-
930μm
Длина
-
2.92mm
Ширина
-
1.3mm