DDTA143FCA-7-F Альтернативные части: DDTA114YCA-7-F ,FJV4104RMTF

DDTA143FCA-7-FDiodes Incorporated

  • DDTA143FCA-7-FDiodes Incorporated
  • DDTA114YCA-7-FDiodes Incorporated
  • FJV4104RMTFON Semiconductor

В наличии: 2800

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    8.337624 ₽

    8.38 ₽

  • 500

    6.130604 ₽

    3,065.25 ₽

  • 1000

    5.108887 ₽

    5,108.93 ₽

  • 2000

    4.687005 ₽

    9,374.04 ₽

  • 5000

    4.380371 ₽

    21,901.92 ₽

  • 10000

    4.074780 ₽

    40,747.80 ₽

  • 15000

    3.940755 ₽

    59,111.26 ₽

  • 50000

    3.874931 ₽

    193,746.57 ₽

Цена за единицу: 8.337624 ₽

Итоговая цена: 8.38 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 4.7K 22K
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R
Срок поставки от производителя
12 Weeks
-
2 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
-
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
3
Вес
7.994566mg
7.994566mg
30mg
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
50V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
68
68
68
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2008
2008
2016
Код JESD-609
e3
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
Matte Tin (Sn)
Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
-55°C
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
8541.21.00.75
8541.21.00.95
Максимальная потеря мощности
200mW
200mW
200mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
30
Основной номер части
DDTA143
-
FJV4104
Число контактов
3
3
-
Квалификационный Статус
Not Qualified
Not Qualified
Not Qualified
Направленность
PNP
PNP
PNP
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Тип транзистора
PNP - Pre-Biased
-
PNP - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
300mV
300mV
50V
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
68 @ 10mA 5V
-
68 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
500nA
-
100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
300mV @ 500μA, 10mA
-
300mV @ 500μA, 10mA
Частота перехода
250MHz
250MHz
200MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
50V
Частота - Переход
250MHz
-
200MHz
База (R1)
4.7 k Ω
-
47 k Ω
Прямоходящий ток коллектора
100mA
-100mA
-100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)
22 k Ω
-
47 k Ω
Высота
1mm
1mm
-
Длина
3.05mm
3.05mm
-
Ширина
1.4mm
1.4mm
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Дополнительная Характеристика
-
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 4.7
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
-50V
-50V
Код соответствия REACH
-
not_compliant
-
Моментальный ток
-
-100mA
-100mA
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-
-300mV
-10V
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)
-
68
-
Без свинца
-
Lead Free
Lead Free
Состояние жизненного цикла
-
-
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)
Распад мощности
-
-
200mW
Применение транзистора
-
-
SWITCHING
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-
-
-50V