DDTA143FCA-7-F Альтернативные части: FJV4113RMTF

DDTA143FCA-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 2800

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
8.337624 ₽
8.38 ₽
500
6.130604 ₽
3,065.25 ₽
1000
5.108887 ₽
5,108.93 ₽
2000
4.687005 ₽
9,374.04 ₽
5000
4.380371 ₽
21,901.92 ₽
10000
4.074780 ₽
40,747.80 ₽
15000
3.940755 ₽
59,111.26 ₽
50000
3.874931 ₽
193,746.57 ₽

Цена за единицу: 8.337624 ₽

Итоговая цена: 8.38 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDDTA143FCA-7-F	иFJV4113RMTF
Производитель:	Diodes Incorporated	ON Semiconductor
Описание:	Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 4.7K 22K	Transistors Switching - Resistor Biased 50/100mA/2.2K 47K
Срок поставки от производителя	12 Weeks	2 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3
Вес	7.994566mg	30mg
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V
Количество элементов	1	1
Минимальная частота работы в герцах	68	68
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2008	2013
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Active	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура	150°C	150°C
Минимальная температура работы	-55°C	-55°C
Код ТН ВЭД	8541.21.00.75	8541.21.00.95
Максимальная потеря мощности	200mW	200mW
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	NOT SPECIFIED
Основной номер части	DDTA143	FJV4113
Число контактов	3	-
Квалификационный Статус	Not Qualified	Not Qualified
Направленность	PNP	PNP
Конфигурация элемента	Single	Single
Тип транзистора	PNP - Pre-Biased	PNP - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	300mV	50V
Максимальный ток сбора	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	68 @ 10mA 5V	68 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	500nA	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 500μA, 10mA	300mV @ 500μA, 10mA
Частота перехода	250MHz	200MHz
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V
Частота - Переход	250MHz	200MHz
База (R1)	4.7 k Ω	2.2 k Ω
Прямоходящий ток коллектора	100mA	-100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)	22 k Ω	47 k Ω
Высота	1mm	930μm
Длина	3.05mm	2.92mm
Ширина	1.4mm	1.3mm
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Состояние жизненного цикла	-	LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	-50V
Моментальный ток	-	-100mA
Распад мощности	-	200mW
Применение транзистора	-	SWITCHING
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	-	-50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	-	-10V
Без свинца	-	Lead Free

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FJV4114RMTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Transistors Switching - Resistor Biased 50/100mA/4.7K 47K	Для сравнения
FJV4113RMTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Transistors Switching - Resistor Biased 50/100mA/2.2K 47K	Для сравнения
DDTA114YCA-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SOT-23-3	TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3	Для сравнения
FJV4104RMTF	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R	Для сравнения