DDTA114GUA-7-F Альтернативные части: DTA123YUAT106 ,DDTA114EUA-7-F

DDTA114GUA-7-FDiodes Incorporated

  • DDTA114GUA-7-FDiodes Incorporated
  • DTA123YUAT106ROHM Semiconductor
  • DDTA114EUA-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 2850

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    11.858420 ₽

    11.81 ₽

  • 10

    11.187198 ₽

    111.81 ₽

  • 100

    10.553956 ₽

    1,055.36 ₽

  • 500

    9.956607 ₽

    4,978.30 ₽

  • 1000

    9.393022 ₽

    9,392.99 ₽

Цена за единицу: 11.858420 ₽

Итоговая цена: 11.81 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
Срок поставки от производителя
19 Weeks
10 Weeks
19 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
Количество контактов
3
3
3
Вес
6.010099mg
-
6.010099mg
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
50V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
30
33
30
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2007
2006
2006
Код JESD-609
e3
-
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Not For New Designs
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
-
Matte Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
-55°C
Дополнительная Характеристика
BUILT IN BIAS RESISTOR
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.5
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
8541.21.00.75
8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный
-50V
-50V
-50V
Максимальная потеря мощности
200mW
200mW
200mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
260
Моментальный ток
-100mA
-100mA
-100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
10
40
Основной номер части
DDTA114
DTA123
DDTA114
Число контактов
3
3
3
Квалификационный Статус
Not Qualified
-
-
Направленность
PNP
PNP
PNP
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Тип транзистора
PNP - Pre-Biased
PNP - Pre-Biased
PNP - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
50V
300mV
300mV
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
30 @ 5mA 5V
33 @ 10mA 5V
30 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
500nA ICBO
500nA
500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
300mV @ 500μA, 10mA
300mV @ 500μA, 10mA
300mV @ 500μA, 10mA
Частота перехода
250MHz
250MHz
250MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
50V
Частота - Переход
250MHz
250MHz
250MHz
Прямоходящий ток коллектора
100mA
-
100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)
10 k Ω
10 k Ω
10 k Ω
Высота
1mm
-
1mm
Длина
2.2mm
-
2.2mm
Ширина
1.35mm
-
1.35mm
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Завершение
-
SMD/SMT
-
Максимальный выходной ток
-
100mA
50mA
Входной напряжение питания
-
50V
50V
Распад мощности
-
200mW
-
Применение транзистора
-
SWITCHING
-
База (R1)
-
2.2 k Ω
10 k Ω
REACH SVHC
-
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
-
No
No
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-
-
-40V