Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DDTA114GUA-7-F Альтернативные части: DDTA114EUA-7-F
DDTA114GUA-7-FDiodes Incorporated
В наличии: 2850
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
11.858420 ₽
11.81 ₽
10
11.187198 ₽
111.81 ₽
100
10.553956 ₽
1,055.36 ₽
500
9.956607 ₽
4,978.30 ₽
1000
9.393022 ₽
9,392.99 ₽
Цена за единицу: 11.858420 ₽
Итоговая цена: 11.81 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 |
Срок поставки от производителя | 19 Weeks | 19 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 6.010099mg | 6.010099mg |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 30 | 30 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2007 | 2006 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | BUILT IN BIAS RESISTOR | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.75 | 8541.21.00.75 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -50V | -50V |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 200mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Моментальный ток | -100mA | -100mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 |
Основной номер части | DDTA114 | DDTA114 |
Число контактов | 3 | 3 |
Квалификационный Статус | Not Qualified | - |
Направленность | PNP | PNP |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Тип транзистора | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 300mV |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 30 @ 5mA 5V | 30 @ 5mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA ICBO | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA | 300mV @ 500μA, 10mA |
Частота перехода | 250MHz | 250MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
Частота - Переход | 250MHz | 250MHz |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | 100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 10 k Ω | 10 k Ω |
Высота | 1mm | 1mm |
Длина | 2.2mm | 2.2mm |
Ширина | 1.35mm | 1.35mm |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Максимальный выходной ток | - | 50mA |
Входной напряжение питания | - | 50V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - | -40V |
База (R1) | - | 10 k Ω |
Корпусировка на излучение | - | No |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DDTA143XUA-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 | Для сравнения |
 | FJX4002RTF | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 | Для сравнения |
 | DTA123YUAT106 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 | Для сравнения |
| DDTA114EUA-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 | Для сравнения |