Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DDC144TU-7 Альтернативные части: UMX3NTR ,UMX1NTN
DDC144TU-7Diodes Incorporated
В наличии: 6000
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
8.011415 ₽
7.97 ₽
500
5.890742 ₽
2,945.33 ₽
1000
4.908929 ₽
4,908.93 ₽
2000
4.503668 ₽
9,007.28 ₽
5000
4.209011 ₽
21,045.05 ₽
10000
3.915330 ₽
39,153.30 ₽
15000
3.786566 ₽
56,798.49 ₽
50000
3.723338 ₽
186,166.90 ₽
Цена за единицу: 8.011415 ₽
Итоговая цена: 7.97 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Bipolar Transistors - Pre-Biased PREBIASED TRANSISTOR SOT-363 NPN 200MW | TRANS 2NPN 50V 0.15A 6UMT | TRANS 2NPN 50V 0.15A 6UMT |
Срок поставки от производителя | 19 Weeks | 10 Weeks | 13 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Количество контактов | 6 | 6 | 6 |
Вес | 6.010099mg | - | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V | 50V |
Количество элементов | 2 | - | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 150 | 120 | 120 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2007 | 2011 | 2003 |
Код JESD-609 | e3 | - | e2 |
Безоловая кодировка | yes | - | yes |
Состояние изделия | Active | Not For New Designs | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | - | 6 |
Код ECCN | EAR99 | - | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | - | Tin/Copper (Sn/Cu) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C | - |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C | - |
Дополнительная Характеристика | BUILT IN BIAS RESISTOR | - | - |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.75 | - | 8541.21.00.75 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 50V | 50V | 50V |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 150mW | 150mW |
Форма вывода | GULL WING | - | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - | 260 |
Моментальный ток | 100mA | 150mA | 150mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | - | 10 |
Основной номер части | DDC144 | *MX3 | *MX1 |
Число контактов | 6 | - | 6 |
Направленность | NPN | NPN | NPN |
Конфигурация элемента | Dual | Dual | Dual |
Применение транзистора | SWITCHING | - | AMPLIFIER |
Тип транзистора | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | 2 NPN (Dual) | 2 NPN (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 50V | 50V |
Максимальный ток сбора | 50mA | 150mA | 150mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 150 @ 25mA 5V | 120 @ 1mA 6V | 120 @ 1mA 6V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 850nA | 100nA ICBO | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA | 400mV @ 5mA, 50mA | 400mV @ 5mA, 50mA |
Частота перехода | 250MHz | - | 180MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V | 50V |
Частота - Переход | 250MHz | 180MHz | - |
База (R1) | 47k Ω | - | - |
Прямоходящий ток коллектора | 50mA | 150mA | 150mA |
Высота | 1mm | 900μm | 900μm |
Длина | 2.2mm | 2mm | 2mm |
Ширина | 1.35mm | 1.25mm | 1.25mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Поставщик упаковки устройства | - | UMT6 | - |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | - | 150mA | - |
Рабочая температура | - | 150°C TJ | 150°C TJ |
Распад мощности | - | 150mW | 150mW |
Мощность - Макс | - | 150mW | - |
Продуктивность полосы частот | - | 180MHz | 180MHz |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | - | 50V | - |
Максимальная частота | - | 100MHz | 100MHz |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | - | 60V | 60V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - | 7V | 7V |
Материал элемента транзистора | - | - | SILICON |
Тип | - | - | General Purpose |
Максимальное напряжение на выходе | - | - | 0.4 V |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | UMX3NTR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS 2NPN 50V 0.15A 6UMT | Для сравнения |
| UMX1NTN | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS 2NPN 50V 0.15A 6UMT | Для сравнения |
| UMX2NTR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS 2NPN 50V 0.15A 6UMT | Для сравнения |
 | RN1971TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V | Для сравнения |